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公开(公告)号：CN119160849A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410782735.8
申请日：2024-06-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及包括刚性转移块和组装公差部分的压力换能器封装体。本公开涉及一种压力换能器封装体(100)，该压力换能器封装体包括基板(110)和附接到基板(110)的盖(120)，其中腔(130)被限定在盖(120)下方。MEMS压力换能器(150)布置在腔(130)内，MEMS压力换能器(150)覆盖流体端口(140)。封装垫(160)设置在封装体(100)的第一侧(101)，而流体端口(140)设置在封装体(100)的相对的第二侧(102)。转移块(180)被配置为在MEMS压力换能器(150)与相对布置的封装垫(160)之间提供电路径，其中盖(120)和刚性转移块(180)中的至少一者包括组装公差部分(170)，组装公差部分用于在刚性转移块(180)与基板(110)和盖(120)中的至少一者之间提供机械组装公差。
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公开(公告)号：CN118140294A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202280070972.0
申请日：2022-10-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： B·戈勒 , A·C·宾特 , T·F·W·霍克鲍尔 , M·胡贝尔 , I·莫德尔 , M·皮钦 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔茨
IPC: H01L21/02 , H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/683
Abstract: 一种处理半导体晶片的方法包括：在所述半导体晶片的第一主表面之上形成一个或多个外延层；在所述半导体晶片中或在所述一个或多个外延层中形成一个或多个多孔层，其中所述半导体晶片、所述一个或多个外延层和所述一个或多个多孔层共同形成衬底；在所述一个或多个外延层中形成半导体装置的掺杂区；并且在形成所述半导体装置的所述掺杂区之后，沿着所述一个或多个多孔层将所述半导体晶片的非多孔部分与所述衬底的其余部分分离。
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公开(公告)号：CN115379364A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210505659.7
申请日：2022-05-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及包括环境屏障的声音换能器设备。本文中描述的创新概念涉及声音换能器设备(100)，该声音换能器设备(100)包括具有第一侧面(101)和相对的第二侧面(102)的多层组件板(110)、以及在多层组件板(110)的第一侧面与第二侧面(101，102)之间延伸的声音端口(120)。声音换能器设备(100)还包括具有悬置膜结构(140)的MEMS声音换能器管芯(130)，其中MEMS声音换能器管芯(130)布置在多层组件板(110)的第一侧面(101)处，使得悬置膜结构(140)与声音端口(120)流体连通。声音换能器设备(100)还包括用于提供环境屏障的网状结构(150)，网状结构(150)从多层组件板(110)的第一侧面和第二侧面(101，102)中的任何一个覆盖声音端口(120)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107808825A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710811862.6
申请日：2017-09-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L21/76841 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/66143 , H01L29/401 , H01L29/417 , H01L29/66136 , H01L29/8613 , H01L29/872
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：使用第一刻蚀工艺从第一侧刻蚀半导体衬底的第一表面，以暴露第二表面。所述第二表面包括第一多个结构特征。所述第一多个结构特征具有作为第一高度的平均高度。使用第二刻蚀工艺从所述第一侧刻蚀所述半导体衬底的所述第二表面，以暴露所述半导体衬底的第三表面。所述第二刻蚀工艺将所述第一多个结构特征转换成第二多个结构特征。所述第二多个结构特征具有作为第二高度的平均高度。所述第二高度小于所述第一高度。使用物理沉积工艺在所述半导体衬底的所述第三表面之上形成导电层。
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公开(公告)号：CN118841319A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410827314.2
申请日：2020-03-06
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： I·莫德 , B·戈勒 , T·F·W·黑希鲍尔 , R·鲁普 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , H-J·舒尔策
IPC: H01L21/3063 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 公开了具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法。一种半导体衬底(700)，包括基底部分(705)、辅助层(710)和表面层(720)。辅助层(710)形成在基底部分(705)上。表面层(720)形成在辅助层(710)上。表面层(720)与半导体衬底(700)的第一主表面(701)接触。辅助层(710)具有与基底部分(705)和表面层(720)不同的电化学溶解效率。辅助层(710)的至少一部分和表面层(720)的一部分被转换成多孔结构(820)。随后，在第一主表面(701)上形成外延层(730)。
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公开(公告)号：CN109103171B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201810631347.4
申请日：2018-06-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔 , E·布洛克斯-纳皮拉尔斯卡 , B·戈勒 , A·韦斯鲍尔
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开涉及具有减少的射频损耗的器件封装体。一种器件封装体包括半导体器件。半导体器件设置在衬底上。器件封装体还包括覆盖物。覆盖物设置在衬底上并且围绕半导体器件。覆盖物包括空隙、第一层和第二层。空隙在覆盖物的内表面与半导体器件之间。第一层具有第一电导率和第一厚度。第二层设置在第一层之下。第二层具有第二电导率和第二厚度。第一电导率大于第二电导率。第一厚度小于第二厚度。
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公开(公告)号：CN108726467B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810362279.6
申请日：2018-04-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有衬底(11)的装置(10、20、30、40)，其中，在所述衬底(11)的第一侧(11A)上布置有MEMS结构组(12)，所述MEMS结构组的输出信号在温度变化时变化，此外，该装置(10、20、30、40)具有布置在所述衬底(11)的所述第一侧(11A)上并且具有凹部(14)的壳体结构(13)，所述MEMS结构组(12)布置在所述凹部中。该装置(10、20、30、40)还具有施加在所述壳体结构(13)处的层(15)，所述层提高所述装置(10、20、30、40)的热容量。本公开还涉及用于制造这种装置(10、20、30、40)的方法。
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公开(公告)号：CN112420504A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010849483.8
申请日：2020-08-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区(110)和边缘区(180)的母衬底(100)。边缘区(180)围绕中心区(110)。在中心区(110)中形成脱附层(150)。脱附层(150)与母衬底(100)的主表面(101、102)平行地延伸。脱附层(150)包括改性的衬底材料。在边缘区(180)中形成凹槽(190)。凹槽(190)在横向上包围中心区(110)。凹槽(190)对于脱附层(150)竖向地和/或倾斜地行进。
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