公开(公告)号：CN118533747A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410193380.9

申请日：2024-02-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·格拉策 ,  U·克鲁宾 ,  T·米特雷德 ,  M·帕维尔 ,  祁思源 ,  H·里查德 ,  D·图姆波德 ,  P·威斯特玛尔兰德

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/17 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/3518 ,  B81B7/00

Abstract: 本公开涉及用于光学辐射设备的封装。用于光学辐射设备(10；10‑1、10‑2)的封装(100)包括基部结构(12)，该基部结构(12)具有布置在其上的光学辐射设备(10)；光学透明的盖元件(14)，该盖元件(14)被接合到基部结构(12)，其定义在基部结构(12)和盖元件(14)之间的腔(16)；和接合结构(20)，该接合结构(20)在基部结构(12)和盖元件(14)之间的接合区域(22)中，其中接合结构(20)被布置为提供在基部结构(12)和盖元件之间的粘附接合，并且其中接合结构(20)包括扩散层(20‑1、20‑2)，扩散层(20‑1、20‑2)具有气体扩散材料或气体扩散结构，以用于提供在腔(16)和周围大气(18)之间的气体扩散路径(24)。

公开(公告)号：CN114446916A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111291664.4

申请日：2021-11-01

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·卡西姆 ,  颜台棋 ,  M·帕维尔 ,  段珂颜 ,  M·H·祖尔基夫利

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明涉及一种三层级互连夹。互连夹包括：管芯附接焊盘，该管芯附接焊盘包括在互连夹的内侧的管芯附接表面；散热焊盘，该散热焊盘包括在互连夹的外侧的散热表面，以及引线接触焊盘，该引线接触焊盘包括在互连夹的内侧或互连夹的外侧的引线接触表面。引线接触焊盘中的互连夹的外侧面对散热焊盘中的互连夹的内侧、并与其间隔开，而引线接触焊盘中的互连夹的内侧面对管芯附接焊盘中的互连夹的外侧、并与其间隔开。

公开(公告)号：CN113013121A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011492811.X

申请日：2020-12-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·卡德韦尔 ,  黄志洋 ,  J·梅尔茨 ,  C·奥德尔 ,  M·帕维尔

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体器件包括：导电框架，其包括基本平面的管芯附接表面；半导体管芯，其包括在后表面上的第一端子以及设置在主表面上的第二端子；设置在管芯附接表面上的第一导电接触结构；以及主表面上的第二导电接触结构。第一导电接触结构垂直延伸超过半导体管芯的主表面的平面。第一导电接触结构通过电隔离结构与半导体管芯的主表面电隔离。电隔离结构的上表面在半导体管芯的主表面下方。

公开(公告)号：CN112928088A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011409358.1

申请日：2020-12-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·帕维尔

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件(10；20)包括：第一载体(11)；第一外部电接触部(12)和第二外部电接触部(13)；第一半导体裸片(14)，其包括：第一主面、与第一主面相反的第二主面、设置在第一主面上的第一接触焊盘(14.1)、设置在第二主面上的第二接触焊盘(14.2)和设置在第二主面上的第三接触焊盘(14.3)，其中，所述第一半导体裸片(14)包括垂直晶体管并以其第一主面设置在第一载体(11)上；夹(15)，其连接第二接触焊盘(14.2)和第二外部电接触部(13)；和第一导线(16)，其与第一外部电接触部(12)连接，其中，第一导线(16)至少部分地设置在夹(15)下方。

公开(公告)号：CN119542324A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411198363.0

申请日：2024-08-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M-U·哈桑 ,  M·帕维尔

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种嵌入式芯片封装体。所述嵌入式芯片封装体包括芯片、至少部分地包封所述芯片的电绝缘材料、被配置成提供至所述芯片的至少一个导电连接结构的至少一个金属层、以及包括关于所述嵌入式芯片封装体的编码信息的信息区段，其中，在所述信息区段中，信息被编码为导电部分和电绝缘部分的图案。

公开(公告)号：CN115379364A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210505659.7

申请日：2022-05-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·威斯特玛尔兰德 ,  B·戈勒 ,  S·帕尔默 ,  M·帕维尔

IPC: H04R19/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本公开的各实施例涉及包括环境屏障的声音换能器设备。本文中描述的创新概念涉及声音换能器设备(100)，该声音换能器设备(100)包括具有第一侧面(101)和相对的第二侧面(102)的多层组件板(110)、以及在多层组件板(110)的第一侧面与第二侧面(101，102)之间延伸的声音端口(120)。声音换能器设备(100)还包括具有悬置膜结构(140)的MEMS声音换能器管芯(130)，其中MEMS声音换能器管芯(130)布置在多层组件板(110)的第一侧面(101)处，使得悬置膜结构(140)与声音端口(120)流体连通。声音换能器设备(100)还包括用于提供环境屏障的网状结构(150)，网状结构(150)从多层组件板(110)的第一侧面和第二侧面(101，102)中的任何一个覆盖声音端口(120)。

公开(公告)号：CN112938891A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011346803.4

申请日：2020-11-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 祁思源 ,  J·埃德尔 ,  C·格拉策 ,  D·迈尔 ,  M·帕维尔

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本公开涉及一种用于光声传感器的发射器封装件(100)。该发射器封装包括用于发射第一波长范围内的脉冲红外辐射的MEMS红外辐射源(11)。MEMS红外辐射源(11)可以布置在基底(10)上。发射器封装件(100)可以进一步包括刚性壁结构(12)，该刚性壁结构布置在基底(10)上并且侧向围绕MEMS红外辐射源(11)的外周。发射器封装件(100)可以进一步包括附接到刚性壁结构(12)的盖结构(13)，盖结构(13)包括滤波器结构(14)，用于对从MEMS红外辐射源(11)射出的红外辐射进行滤波，并用于提供减小的第二波长范围内的经滤波的红外辐射。