公开(公告)号：CN101465336A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200910003470.2

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN1826687A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021252.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN1245350A

公开(公告)日：2000-02-23

申请号：CN99111369.1

申请日：1999-08-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基片上形成一层间绝缘膜,其中包含由具有Si－H键或Si－CH3键的化学式所表示的介电成分。接着,在该层间绝缘膜上形成一层光刻胶。然后把所述光刻胶构图成为接触孔的形状。此后,通过利用所述光刻胶作为掩模对所述层间绝缘膜进行干法蚀刻。接着,除去所述光刻胶,并且使所述层间绝缘膜暴露于氮等离子体和氢等离子体下。

公开(公告)号：CN1234605A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99107398.3

申请日：1999-04-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件,其中,在形成在衬底上的层间绝缘膜中形成开孔,在开孔内形成有互连部分,其一端和所述衬底接触,还形成有金属层构成的通孔部分,位于所述的互连部分的另一端,在所述开孔中的所述通孔部分对面的内壁表面部分上形成有保护膜。

公开(公告)号：CN1210361A

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN98117733.6

申请日：1998-09-02

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宇佐美达矢

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,该装置包括至少一种含Si－H键的夹层绝缘膜,夹层绝缘膜中的通路插头及Si－H键部分;其制造方法主要包括有在绝缘膜上形成含Si－OH键的夹层绝缘膜,在夹层绝缘膜上开通孔,清除表面上的Si－OH部分,再在通孔中形成通路插头等步骤。本装置能有效防止通路插头的通孔电阻异常,且使夹层绝缘膜的介电常数稳定。

公开(公告)号：CN1518075B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410001855.2

申请日：2004-01-14

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  宇佐美达矢 ,  森田升 ,  远藤和彦

IPC: H01L21/312 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/7681 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5-5左右，SiOC的介电常数为2.8-3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。

公开(公告)号：CN101217136A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810001917.8

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN1518075A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001855.2

申请日：2004-01-14

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  宇佐美达矢 ,  森田升 ,  远藤和彦

IPC: H01L21/312 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/7681 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5－5左右，SiOC的介电常数为2.8－3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。

公开(公告)号：CN1372313A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02105097.X

申请日：2002-02-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  富盛浩昭 ,  冈田纪雄 ,  宇佐美达矢 ,  大音光市 ,  谷国敬理

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,可以在控制其电阻增加的同时提高互连寿命,另外,可以提高制造稳定性;用包括氮元素的源气,通过对铜互连17的表面进行等离子处理,形成氮化铜层24,此后形成氮化硅膜18。在氮化铜膜24下,形成薄的硅化铜层25。

公开(公告)号：CN1204142A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98102661.3

申请日：1998-06-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  青木秀充 ,  土屋泰章 ,  山崎进也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 在半导体基片上形成其介电常数低于氧化硅膜的第一绝缘膜。接着,在第一绝缘膜上形成的具有吸湿度且在氧气等离子体处理中变形并对暴露在剥脱溶液中的金属膜或第二绝缘膜相同或少于氧化硅膜中的吸湿度。然后,将金属膜或第二绝缘制作成规定图形。使用金属膜或第二绝缘膜作为掩膜在第一绝缘膜中形成一开口。