公开(公告)号：CN1237787A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99109248.1

申请日：1999-06-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈田纪雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/7681

Abstract: 在表面区域上形成有在第一布线102的半导体衬底101上形成第一层间绝缘膜103和腐蚀中止膜105。构图腐蚀中止膜105，以便对应于形成在第一层间绝缘膜103上的通孔107的图形，和形成第二布线106的图形。第二层间绝缘膜104形成在腐蚀中止膜105上。为了形成第二布线106，通过腐蚀第二层间绝缘膜104形成布线沟槽108。接着，腐蚀中止膜105作为掩模，通过腐蚀第一层间绝缘膜103形成通孔107。导电材料设置在通孔107和布线沟槽108内，以便形成连接到第一布线102的第二布线106。

公开(公告)号：CN1250951A

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN99120209.0

申请日：1999-09-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈田纪雄

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76847 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: 通过减少工艺步骤的数量可以形成用于装配导体的铜焊垫膜,导体由用于外部连接的突点形导体或线形导体组成。半导体器件包括在半导体衬底上形成厚度为3到4μm的保护性绝缘膜,在保护性绝缘膜上形成直径约50μm且深度约2μm的互连用沟槽,在互连用沟槽内嵌入由氮化钛组成厚度约50nm的第一阻挡金属膜上的最上层铜布线。此外,在最上层铜布线的近似中心区域厚度约70nm的第二阻挡金属膜8上嵌入铜焊垫膜。

公开(公告)号：CN1161571A

公开(公告)日：1997-10-08

申请号：CN96118968.1

申请日：1996-12-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈田纪雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

Abstract: 半导体设备的制造方法，包括以下步骤：半导体衬底1上形成的金属布线2上形成层绝缘膜5的步骤；所述层绝缘膜5上形成的抗反射涂层10上形成光致抗蚀剂层11的步骤，和用曝光的抗蚀剂膜11作掩膜，腐蚀抗反射涂层10和层绝缘膜5的步骤。

公开(公告)号：CN1247384A

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：CN99118702.4

申请日：1999-09-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈田纪雄

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体器件中,通过含有设置在相邻的布线之间的空隙部分的层间绝缘膜电隔离相邻的铝布线,其中使空隙部分的下表面基本上与每个布线的下表面齐平。在半导体衬底的上表面中的相邻布线之间形成沟槽。每个沟槽和铝布线的侧表面都覆盖有防止损伤氧化膜,即用于形成沟槽的侧壁绝缘膜。沟槽填充有层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1450636A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03106674.7

申请日：2003-02-27

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松原义久 ,  冈田纪雄

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件中的布线结构，包括具有第一布线宽度(W1)的第一布线(11)，和形成在形成第一布线的层的同一层中、并且具有大于第一布线宽度(W1)的第二布线宽度(W2)的第二布线(12)的布线结构。第二布线(12)电连接到第一布线(11)。第一和第二布线(11，12)都是由铜或主要含铜的合金构成的。第一和第二布线(11，12)具有彼此相同的厚度。第二布线(12)的面积与第一布线(11)的面积的比率是N∶1，其中N等于或大于2,000和等于或小于200,000,000(2,000≤N≤200,000,000)。

公开(公告)号：CN1372313A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02105097.X

申请日：2002-02-21

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  富盛浩昭 ,  冈田纪雄 ,  宇佐美达矢 ,  大音光市 ,  谷国敬理

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,可以在控制其电阻增加的同时提高互连寿命,另外,可以提高制造稳定性;用包括氮元素的源气,通过对铜互连17的表面进行等离子处理,形成氮化铜层24,此后形成氮化硅膜18。在氮化铜膜24下,形成薄的硅化铜层25。

公开(公告)号：CN1213852A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN98120091.5

申请日：1998-10-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈田纪雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法,其特征在于,它包括如下步骤:在一半导体衬底上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成导电膜;处理导电膜以形成一电极布线层,该布线层端部位于半导体衬底外周部位上的第一绝缘层的一端部的里侧;在包含第一内层绝缘膜和电极布线层的半导体衬底上形成绝缘膜;处理绝缘膜形成第二绝缘膜层,该第二绝缘膜层的端部位于半导体衬底外周部位上的电极布线层的端部外侧。

公开(公告)号：CN1204867A

公开(公告)日：1999-01-13

申请号：CN98103109.9

申请日：1998-06-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈田纪雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明涉及具有在半导体衬底上形成多个布线的半导体器件。设置用于覆盖全部所述布线表面的第1绝缘膜,在相邻所述布线之间形成的包含空气隙的第2绝缘膜彼此相邻。本发明的制造半导体器件的方法包括下列步骤,形成第1绝缘膜用于覆盖在半导体衬底上形成的多个布线表面,在所述衬底相邻布线之间形成包含空气隙的第2绝缘膜。其中利用等离子CVD或旋涂方法形成第1绝缘膜,利用等离子CVD,旋涂,偏压CVD,溅射或类似的方法形成第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN1095199C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN97114153.3

申请日：1997-11-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈田纪雄

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/764

Abstract: 在第1层间绝缘膜上形成布线层。在布线层上形成氧化膜。对氧化膜刻图形成相当于布线之间间隔的间隔。之后，用留在布线层上的氧化膜作掩模，腐蚀布线层和第1层间绝缘膜的表面层。此时，用布线层形成用间隔使其相互隔开的两条布线。之后，用偏压ECR膜淀积法，在布线上和间隔中留有空腔的布线之间的间隔中形成第2间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1183641A

公开(公告)日：1998-06-03

申请号：CN97114153.3

申请日：1997-11-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈田纪雄

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/764

Abstract: 在第1层间绝缘膜上形成布线层。在布线层上形成氧化膜。对氧化膜刻图形成相当于布线之间间隔的间隔。之后,用留在布线层上的氧化膜作掩模,腐蚀布线层和第1层间绝缘膜的表面层。此时,用布线层形成用间隔使其相互隔开的两条布线。之后,用偏压ECR膜淀积法,在布线上和间隔中留有空腔的布线之间的间隔中形成第2间绝缘膜。