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公开(公告)号：CN1397990A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02140706.1
申请日：2002-07-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76843 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , H01L21/02052 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76844 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体器件的制造方法，用于在半导体基片上形成布线层，接着通过清洗可以防止布线的洗脱和氧化，以及在制造方法中使用的处理液。在等离子体环境中形成铜布线、在铜布线上的中间层膜和在中间层膜中形成的开口，以露出铜布线表面。IPA喷射在半导体器件上，然后用胺溶剂对半导体器件进行处理，以去除蚀刻残留物。再次用IPA清洗半导体器件，以去除余留的胺，然后用碱性的处理液进行清洁。而后用纯水或者二氧化碳水清洗，并进行干燥。
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公开(公告)号：CN1574240A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045281.9
申请日：2004-06-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/3213 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31111 , H01L28/40 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 根据本发明，可以刻蚀高－k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底50上形成氧化硅薄膜52，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜54。此后，通过抗蚀剂层58的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层56和高介电常数绝缘膜54，以及随后，通过多晶硅层56的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜54和氧化硅膜52的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1372313A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02105097.X
申请日：2002-02-21
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3143 , H01L21/3144 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/321 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76883
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,可以在控制其电阻增加的同时提高互连寿命,另外,可以提高制造稳定性;用包括氮元素的源气,通过对铜互连17的表面进行等离子处理,形成氮化铜层24,此后形成氮化硅膜18。在氮化铜膜24下,形成薄的硅化铜层25。
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公开(公告)号：CN1317743C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200410045281.9
申请日：2004-06-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/3213 , H01L21/28
Abstract: 根据本发明，可以刻蚀高-k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底50上形成氧化硅薄膜52，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜54。此后，通过抗蚀剂层58的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层56和高介电常数绝缘膜54，以及随后，通过多晶硅层56的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜54和氧化硅膜52的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。
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公开(公告)号：CN100527364C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610132139.7
申请日：2004-06-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31111 , H01L28/40 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法。根据本发明，可以刻蚀高-k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底(50)上形成氧化硅薄膜(52)，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜(54)。此后，通过抗蚀剂层(58)的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层(56)和高介电常数绝缘膜(54)，以及随后，通过多晶硅层(56)的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜(54)和氧化硅膜(52)的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。
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公开(公告)号：CN1975991A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610132139.7
申请日：2004-06-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31111 , H01L28/40 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法。根据本发明，可以刻蚀高－k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底(50)上形成氧化硅薄膜(52)，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜(54)。此后，通过抗蚀剂层(58)的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层(56)和高介电常数绝缘膜(54)，以及随后，通过多晶硅层(56)的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜(54)和氧化硅膜(52)的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。
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公开(公告)号：CN1391263A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02123010.2
申请日：2002-06-13
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/02074 , B08B3/04 , C02F2103/346 , G03F7/422 , H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/02071 , H01L21/0209 , H01L21/31133
Abstract: 本发明涉及清洗晶片的清洗水和清洗晶片的清洗方法，根据本发明，使晶片旋转，同时将清洗水从喷嘴喷射到该晶片表面上。该清洗水是一种水溶液，其中在水中溶解了1－2.5ppm的氢气，并具有附加的少量氢氧化铵。该清洗水具有7.5－8.0的pH值，－0.6到－0.45V的氧化－还原电位，和不大于1MΩ·cm的电阻率。并且该清洗水是还原水。
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