公开(公告)号：CN1519925B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410003636.8

申请日：2004-02-04

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  森田升 ,  大音光市 ,  远藤和彦

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Cu扩散功能、低介电常数和对Cu互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜(例如，第二阻挡膜6)被制作成具有分层结构，该结构由含有硅和碳(优选地，硅、碳和氮)且拥有不同碳含量的多个膜构成，并且，确切地，拥有低碳含量的低碳浓度膜6a被设为其下层而拥有高碳含量的高碳浓度膜6b被设为其上层，从而通过设置低碳浓度膜6a能够切实提供有效的防Cu扩散的能力、高蚀刻选择比例和对Cu互连的良好的粘附性，而通过设置高碳浓度膜6b能够充分降低整体介电常数。

公开(公告)号：CN100464417C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN02151306.6

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN1519925A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410003636.8

申请日：2004-02-04

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  森田升 ,  大音光市 ,  远藤和彦

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Cu扩散功能、低介电常数和对Cu互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜(例如，第二阻挡膜6)被制作成具有分层结构，该结构由含有硅和碳(优选地，硅、碳和氮)且拥有不同碳含量的多个膜构成，并且，确切地，拥有低碳含量的低碳浓度膜6a被设为其下层而拥有高碳含量的高碳浓度膜6b被设为其上层，从而通过设置低碳浓度膜6a能够切实提供有效的防Cu扩散的能力、高蚀刻选择比例和对Cu互连的良好的粘附性，而通过设置高碳浓度膜6b能够充分降低整体介电常数。

公开(公告)号：CN1215916A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98119996.8

申请日：1998-08-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小柳贤一 ,  藤井邦宏 ,  宇佐美达矢 ,  岸本光司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括至少部分包括含氟膜并且形成在半导体衬底上面的绝缘膜,和形成在绝缘膜上面的氮化钛膜。上述的钛膜作为阻挡金属膜,用于阻挡氟(F)原子的扩散。

公开(公告)号：CN1154644A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96120535.0

申请日：1996-12-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宇佐美达矢

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862 ,  Y10S156/916 ,  Y10S438/905

Abstract: 在基底电极和反向电极之间加上高频电压产生等离子体进行等离子体CVD工艺，在晶片上形成一层二氧化硅薄膜之后，在等离子体工艺设备的等离子体腐蚀清洁中，基底电极有一碳化硅的绝缘体盖子盖住它的环形周边区，反向电极接地，碳氟化合物气体被引入腔体内，并用高频电源向基底电极供电进行腔体腐蚀，以此去除由等离子体CVD工艺形成在腔体内的不希望有的二氧化硅。

公开(公告)号：CN101465336B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200910003470.2

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN101465336A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200910003470.2

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN1826687A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021252.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN1245350A

公开(公告)日：2000-02-23

申请号：CN99111369.1

申请日：1999-08-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基片上形成一层间绝缘膜,其中包含由具有Si－H键或Si－CH3键的化学式所表示的介电成分。接着,在该层间绝缘膜上形成一层光刻胶。然后把所述光刻胶构图成为接触孔的形状。此后,通过利用所述光刻胶作为掩模对所述层间绝缘膜进行干法蚀刻。接着,除去所述光刻胶,并且使所述层间绝缘膜暴露于氮等离子体和氢等离子体下。

公开(公告)号：CN1234605A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99107398.3

申请日：1999-04-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件,其中,在形成在衬底上的层间绝缘膜中形成开孔,在开孔内形成有互连部分,其一端和所述衬底接触,还形成有金属层构成的通孔部分,位于所述的互连部分的另一端,在所述开孔中的所述通孔部分对面的内壁表面部分上形成有保护膜。