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公开(公告)号：CN1519925B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410003636.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , C23C16/30
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L23/5222 , H01L23/53228 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Cu扩散功能、低介电常数和对Cu互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜(例如，第二阻挡膜6)被制作成具有分层结构，该结构由含有硅和碳(优选地，硅、碳和氮)且拥有不同碳含量的多个膜构成，并且，确切地，拥有低碳含量的低碳浓度膜6a被设为其下层而拥有高碳含量的高碳浓度膜6b被设为其上层，从而通过设置低碳浓度膜6a能够切实提供有效的防Cu扩散的能力、高蚀刻选择比例和对Cu互连的良好的粘附性，而通过设置高碳浓度膜6b能够充分降低整体介电常数。
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公开(公告)号：CN1518075B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410001855.2
申请日：2004-01-14
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/7681 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5-5左右，SiOC的介电常数为2.8-3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1518075A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001855.2
申请日：2004-01-14
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/7681 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5－5左右，SiOC的介电常数为2.8－3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1519925A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003636.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , C23C16/30
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L23/5222 , H01L23/53228 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Cu扩散功能、低介电常数和对Cu互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜(例如，第二阻挡膜6)被制作成具有分层结构，该结构由含有硅和碳(优选地，硅、碳和氮)且拥有不同碳含量的多个膜构成，并且，确切地，拥有低碳含量的低碳浓度膜6a被设为其下层而拥有高碳含量的高碳浓度膜6b被设为其上层，从而通过设置低碳浓度膜6a能够切实提供有效的防Cu扩散的能力、高蚀刻选择比例和对Cu互连的良好的粘附性，而通过设置高碳浓度膜6b能够充分降低整体介电常数。
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公开(公告)号：CN1663051A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03815014.X
申请日：2003-06-19
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/28167 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 提供一种在硅衬底上以此顺序具有栅极绝缘膜和栅极电极的半导体器件；其中栅极绝缘膜包括含氮高介电常数绝缘膜，该含氮高介电常数绝缘膜具有将氮引入到金属氧化物或金属硅酸盐中的结构；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度具有在膜厚度的方向中的分布；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度达到在膜厚度的方向中的最大处的位置出现在距离硅衬底一定距离的区域中。还提供一种半导体器件的制造方法，其包含通过用含氮等离子体照射由金属氧化物或金属硅酸盐构成的高介电常数绝缘膜而进行所述氮引入的步骤。这改善了高介电常数绝缘膜的热稳定性，抑制了掺杂剂穿透，此外，阻止了与硅衬底的界面的电特性的恶化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100367513C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03815014.X
申请日：2003-06-19
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供一种在硅衬底上以此顺序具有栅极绝缘膜和栅极电极的半导体器件；其中栅极绝缘膜包括含氮高介电常数绝缘膜，该含氮高介电常数绝缘膜具有将氮引入到金属氧化物或金属硅酸盐中的结构；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度具有在膜厚度的方向中的分布；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度达到在膜厚度的方向中的最大处的位置出现在距离硅衬底一定距离的区域中。还提供一种半导体器件的制造方法，其包含通过用含氮等离子体照射由金属氧化物或金属硅酸盐构成的高介电常数绝缘膜而进行所述氮引入的步骤。这改善了高介电常数绝缘膜的热稳定性，抑制了掺杂剂穿透，此外，阻止了与硅衬底的界面的电特性的恶化。
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公开(公告)号：CN1126155C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN98103102.1
申请日：1998-06-09
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 远藤和彦
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02203 , H01L21/02205 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/31 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/31612 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有二氧化硅主成分的绝缘体及其形成方法，其中绝缘体包含分布于其中的至少一种有机聚合物，例如苯核，以便降低其介电常数。
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公开(公告)号：CN1204865A
公开(公告)日：1999-01-13
申请号：CN98103102.1
申请日：1998-06-09
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 远藤和彦
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02203 , H01L21/02205 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/31 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/31612 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有二氧化硅主成分的绝缘体及其形成方法,其中绝缘体包含分布于其中的至少一种有机聚合物,例如苯核,以便降低其介电常数。
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公开(公告)号：CN1208247A
公开(公告)日：1999-02-17
申请号：CN98103501.9
申请日：1998-06-02
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 远藤和彦
IPC: H01L21/205 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/0212 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/45557 , H01L21/02131 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3127 , H01L21/31629 , H01L21/481
Abstract: 本发明提供一种含氟绝缘膜的生成方法,包括的步骤有使用减压等离子体体分解不含氢分子和原子的反应气体,和形成绝缘膜的同时改变压力,以便控制绝缘薄膜中的含氟量。含氟绝缘膜可以是含氟非晶氟化碳薄膜或二氧化硅薄膜。根据上述方法,使用不含氢化物的材料就能够形成加氟绝缘膜,其中不产生带来许多问题的氢氟酸产物。另外,通过改变形成绝缘膜时的压力,就可进行由于绝缘膜没有氢化物而难以进行的控制绝缘膜内的含氟量。
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公开(公告)号：CN1332451C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN02817952.8
申请日：2002-09-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/314 , H01L21/471
CPC classification number: H01L21/02244 , H01L21/02178 , H01L21/02247 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66545
Abstract: 在具有MIS(金属-绝缘膜-半导体)结构的半导体器件中，在半导体上使用以Al、O、N原子为主体的膜。另外，在具有MIS结构的半导体器件中，在源和漏之间的沟道区上，作为栅绝缘膜而设置以AL、O、N原子为主体的膜。满足栅长为0.05μm等级的半导体晶体管的栅绝缘膜所要求的特性。特别是，不具有膜中的固定电荷，降低了杂质扩散。
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