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公开(公告)号：CN1519925B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410003636.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , C23C16/30
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L23/5222 , H01L23/53228 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Cu扩散功能、低介电常数和对Cu互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜(例如，第二阻挡膜6)被制作成具有分层结构，该结构由含有硅和碳(优选地，硅、碳和氮)且拥有不同碳含量的多个膜构成，并且，确切地，拥有低碳含量的低碳浓度膜6a被设为其下层而拥有高碳含量的高碳浓度膜6b被设为其上层，从而通过设置低碳浓度膜6a能够切实提供有效的防Cu扩散的能力、高蚀刻选择比例和对Cu互连的良好的粘附性，而通过设置高碳浓度膜6b能够充分降低整体介电常数。
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公开(公告)号：CN1519925A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003636.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , C23C16/30
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L23/5222 , H01L23/53228 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Cu扩散功能、低介电常数和对Cu互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜(例如，第二阻挡膜6)被制作成具有分层结构，该结构由含有硅和碳(优选地，硅、碳和氮)且拥有不同碳含量的多个膜构成，并且，确切地，拥有低碳含量的低碳浓度膜6a被设为其下层而拥有高碳含量的高碳浓度膜6b被设为其上层，从而通过设置低碳浓度膜6a能够切实提供有效的防Cu扩散的能力、高蚀刻选择比例和对Cu互连的良好的粘附性，而通过设置高碳浓度膜6b能够充分降低整体介电常数。
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公开(公告)号：CN1826687A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480021252.7
申请日：2004-05-28
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。
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公开(公告)号：CN1518075B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410001855.2
申请日：2004-01-14
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/7681 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5-5左右，SiOC的介电常数为2.8-3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101217136A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810001917.8
申请日：2004-05-28
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1518075A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001855.2
申请日：2004-01-14
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/7681 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5－5左右，SiOC的介电常数为2.8－3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN100407400C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480021252.7
申请日：2004-05-28
Applicant: 日本电气株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。
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公开(公告)号：CN101431064A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810173361.0
申请日：2005-08-18
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76801 , H01L21/7682 , H01L21/76835 , H01L23/522 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，特别涉及包括多层互连结构的半导体器件。抑制了半导体器件中的裂缝的传播，因而保护了元件形成区域。设置界面加强膜从而覆盖穿透形成在硅衬底上的SiCN膜和SiOC膜的凹部的侧壁。界面加强膜和另一个SiOC膜整体且连续地形成，并且包括空气间隙。
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公开(公告)号：CN100440433C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510082320.7
申请日：2005-06-30
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31612
Abstract: 使用Si(OR1)(OR2)(OR3)(OR4)，在不高于300℃的温度下，通过化学汽相淀积工艺形成三层抗蚀膜(225)中的中间膜(222)，其中R1、R2、R3和R4的每一个独立地表示含碳基团或氢原子，不包括R1到R4全部为氢原子的情形。
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公开(公告)号：CN1835225A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610071402.6
申请日：2006-03-20
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/31633 , H01L21/78 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体芯片(100)包括：未示出的半导体衬底；以及形成在半导体衬底上的层叠膜(150)，其包括诸如第一层间绝缘膜(106)的含碳绝缘膜和诸如底层(102)和顶覆盖膜(124)的无碳绝缘膜。在此，无碳绝缘膜的端面位于含碳绝缘膜的端面的外侧。含碳绝缘膜的碳组分在其端部比在内部低。含碳绝缘膜的膜密度在其端部比在内部高。
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