公开(公告)号：CN100464417C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN02151306.6

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN1457095A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02151306.6

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN1444276A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN02148123.7

申请日：2002-10-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 弘长伸夫 ,  竹胁利至 ,  国岛浩之 ,  山本悦章

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。在制造该半导体的方法中，在半导体基底(100)的上面或上方形成由含铜金属膜组成的第一布线(22a，34b)。在半导体基底的整个表面上形成第一夹层绝缘膜(18，16)，以覆盖第一布线。选择性地去除第一夹层绝缘膜，以形成到达第一布线的连接孔。形成阻挡金属膜(30)，以覆盖连接孔的内表面，并且随后形成含铜金属膜(32)以填充连接孔。将连接孔外形成的含铜金属膜去除。在半导体基底的整个表面上形成第二夹层绝缘膜(20，14b)，以覆盖在连接孔内形成的含铜金属膜。选择性地去除第二夹层绝缘膜，以形成布线槽，使得在连接孔内形成的含铜金属膜在底部露出。形成阻挡金属膜来覆盖布线槽的内部，并且，随后形成含铜金属膜以填充布线槽。接着，在布线槽外的含铜金属膜被去除，以形成第二布线(34b和22b)。

公开(公告)号：CN1397990A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02140706.1

申请日：2002-07-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中别府健一 ,  富盛浩昭 ,  竹胁利至 ,  弘长伸夫 ,  国岛浩之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件的制造方法，用于在半导体基片上形成布线层，接着通过清洗可以防止布线的洗脱和氧化，以及在制造方法中使用的处理液。在等离子体环境中形成铜布线、在铜布线上的中间层膜和在中间层膜中形成的开口，以露出铜布线表面。IPA喷射在半导体器件上，然后用胺溶剂对半导体器件进行处理，以去除蚀刻残留物。再次用IPA清洗半导体器件，以去除余留的胺，然后用碱性的处理液进行清洁。而后用纯水或者二氧化碳水清洗，并进行干燥。

公开(公告)号：CN101465336B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200910003470.2

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN101465336A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200910003470.2

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。