公开(公告)号：CN1444276A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN02148123.7

申请日：2002-10-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 弘长伸夫 ,  竹胁利至 ,  国岛浩之 ,  山本悦章

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。在制造该半导体的方法中，在半导体基底(100)的上面或上方形成由含铜金属膜组成的第一布线(22a，34b)。在半导体基底的整个表面上形成第一夹层绝缘膜(18，16)，以覆盖第一布线。选择性地去除第一夹层绝缘膜，以形成到达第一布线的连接孔。形成阻挡金属膜(30)，以覆盖连接孔的内表面，并且随后形成含铜金属膜(32)以填充连接孔。将连接孔外形成的含铜金属膜去除。在半导体基底的整个表面上形成第二夹层绝缘膜(20，14b)，以覆盖在连接孔内形成的含铜金属膜。选择性地去除第二夹层绝缘膜，以形成布线槽，使得在连接孔内形成的含铜金属膜在底部露出。形成阻挡金属膜来覆盖布线槽的内部，并且，随后形成含铜金属膜以填充布线槽。接着，在布线槽外的含铜金属膜被去除，以形成第二布线(34b和22b)。

公开(公告)号：CN1118863C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN98102063.1

申请日：1998-06-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山本悦章

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/324

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括形成元件绝缘区的步骤、形成侧壁的步骤、形成扩散层的步骤、激活步骤、形成硅化物的步骤、以及去除步骤。形成元件绝缘区的步骤是在半导体基片上形成场氧化膜，从而形成元件隔离区。为了将杂质掺入半导体基片中而形成扩散层，在将元素氟(离子注入物质)注入半导体基片中以后，在激活扩散层之前进行一次热处理，其温度低于用来激活扩散层的热处理温度，从而将离子注入物质所产生的氟排出去。

公开(公告)号：CN1255747A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99125090.7

申请日：1999-11-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山本悦章

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76877

Abstract: 一下层的铝配线(22)对形成在层间隔离层(23)中的通孔(24)暴露,以及在淀积通过通孔(24)连接至下层的铝配线(22)的一上部铝配线(30)之前,执行除气处理,其中除气是在等于或者小于在层间隔离层(23)时的最大的基片温度的一基片温度下执行的,所以由于热应力造成的小丘和触须不会发生在下层的铝配线(22)上。

公开(公告)号：CN1264922A

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN00102784.0

申请日：2000-02-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山本悦章 ,  广田俊幸

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在形成具有一种结构的互连层中,其中铝互连层被覆盖有一层间绝缘膜,以用于防止在铝互连层中产生空隙。包括阻挡层4、铝互连金属层5、钛层2和防反射层6的多层结构形成在具有绝缘表面的半导体基片上,然后所述多层结构的层面被构图为互连图案的形状,至少达到钛层2,并且所述构图的结构被加热,使钛层2转化为铝钛合金层,然后,生长层间绝缘膜以覆盖所示构图的互连层,对该层间绝缘膜平面化,以及执行另一个热处理以对该层间绝缘膜脱气。

公开(公告)号：CN1127759C

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN00102784.0

申请日：2000-02-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山本悦章 ,  广田俊幸

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在形成具有一种结构的互连层中，其中铝互连层被覆盖有一层间绝缘膜，以用于防止在铝互连层中产生空隙。包括阻挡层4、铝互连金属层5、钛层2和防反射层6的多层结构形成在具有绝缘表面的半导体基片上，然后所述多层结构的层面被构图为互连图案的形状，至少达到钛层2，并且所述构图的结构被加热，使钛层2转化为铝钛合金层，然后，生长层间绝缘膜以覆盖所示构图的互连层，对该层间绝缘膜平面化，以及执行另一个热处理以对该层间绝缘膜脱气。

公开(公告)号：CN1085407C

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN97121894.3

申请日：1997-12-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山本悦章 ,  相沢一雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 一种生产半导体集成电路的方法，在半导体基片上形成带侧壁绝缘膜的栅结构和场氧化膜。然后，为带侧壁绝缘膜的栅结构形成扩散层。随后，从每一侧壁绝缘膜和场氧化膜上去除表面层。接着，按照与带侧壁绝缘膜的栅结构以及场氧化膜自对准的方式在每一扩散层的表面层内形成硅化物层。

公开(公告)号：CN1201999A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN98102063.1

申请日：1998-06-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山本悦章

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/324

Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括形成元件绝缘区的步骤、形成侧壁的步骤、形成扩散层的步骤、激活步骤、形成硅化物的步骤、以及去除步骤。形成元件绝缘区的步骤是在半导体基片上形成场氧化膜,从而形成元件隔离区。为了将杂质掺入半导体基片中而形成扩散层,在将元素氟(离子注入物质)注入半导体基片中以后,在激活扩散层之前进行一次热处理,其温度低于用来激活扩散层的热处理温度,从而将离子注入物质所产生的氟排出去。

公开(公告)号：CN1185035A

公开(公告)日：1998-06-17

申请号：CN97121894.3

申请日：1997-12-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山本悦章 ,  相沢一雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 一种生产半导体集成电路的方法,在半导体基片上形成带侧壁绝缘膜的栅结构和场氧化膜。然后,为带侧壁绝缘膜的栅结构形成扩散层。随后,从每一侧壁绝缘膜和场氧化膜上去除表面层。接着,按照与带侧壁绝缘膜的栅结构以及场氧化膜自对准的方式在每一扩散层的表面层内形成硅化物层。