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公开(公告)号：CN1115730C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN99100804.9
申请日：1999-02-14
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L28/84
Abstract: 本发明公开一种半球形晶粒状HSG下电极及其制备方法，提供一种电容器，其中包括：多晶硅下电极、介电膜、上电极，制备该电容器至少包括以下步骤：在下电极上形成一层半球形晶粒HSG硅，其中每个HSG在与下电极相接触的一面都具有一个直径较小的颈部；沉积一层硅膜，通过充填上述硅层的颈部外围与HSG之间的间隙来覆盖住上述HSG，同时保留所形成的HSG的不平整形状；形成介电膜；形成上电极。
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公开(公告)号：CN1226742A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：CN99102533.4
申请日：1999-02-23
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/28 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10817 , H01L28/82 , H01L28/84 , H01L28/90
Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法,在这种半导体器件中,圆柱形构件的内壁表面和外壁表面的半球状颗粒尺寸是一样的,以促进表面面积的增加,并防止在相临圆柱形构件之间的短路。通过(i)去除非晶态硅初始生长层或(ii)抑制初始生长层的作用来实现上述目的。
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公开(公告)号：CN1147694A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96110030.3
申请日：1996-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/77
CPC classification number: H01L28/92 , H01L27/10852
Abstract: 一种形成存储单元电容器的环形竖直延伸底电极的方法，包括：在层间绝缘体上形成导电膜；在膜上敷光致抗蚀剂材料，以形成光致抗蚀剂膜；用一掩模光刻使抗蚀剂膜构图，掩模包括透明板状基体和选择性地设在基体预定区域的相移膜，以在导电膜上形成环形竖直延伸的光致抗蚀剂图形；用环形竖直延伸的光致抗蚀剂图形作掩模，对导电膜进行各向异性蚀刻，以在该抗蚀剂图形下形成一环形竖直延伸的底电极；以及除去光致抗蚀剂图形。
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公开(公告)号：CN1097851C
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN96110030.3
申请日：1996-05-31
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/92 , H01L27/10852
Abstract: 在动态随机存取存储器的存储单元中形成电容器的新方法，包括：在半导体衬底上形成层间绝缘体；在层间绝缘体上形成有至少一个开口的抗蚀剂图形；用该抗蚀剂图形作为掩模对层间绝缘体进行蚀刻以形成接触孔和/或中空部分；除去抗蚀剂图形；在层间绝缘体以及接触孔和中空部分中淀积硅膜；在硅膜上形成环形抗蚀剂图形；用该环形抗蚀剂图形作为掩模对硅膜进行蚀刻以形成底电极；除去环形抗蚀剂图形；在整个底电极表面上形成介电膜；在介电膜上形成顶电极。
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公开(公告)号：CN1264922A
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN00102784.0
申请日：2000-02-22
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/76886 , H01L23/53223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在形成具有一种结构的互连层中,其中铝互连层被覆盖有一层间绝缘膜,以用于防止在铝互连层中产生空隙。包括阻挡层4、铝互连金属层5、钛层2和防反射层6的多层结构形成在具有绝缘表面的半导体基片上,然后所述多层结构的层面被构图为互连图案的形状,至少达到钛层2,并且所述构图的结构被加热,使钛层2转化为铝钛合金层,然后,生长层间绝缘膜以覆盖所示构图的互连层,对该层间绝缘膜平面化,以及执行另一个热处理以对该层间绝缘膜脱气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1234611A
公开(公告)日：1999-11-10
申请号：CN99100804.9
申请日：1999-02-14
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L28/84
Abstract: 本发明公开一种半球形颗粒状(HSG)下电极及其制备方法,提供一种电容器,其中包括:多晶硅下电极、介电膜、上电极,制备该电容器至少包括以下步骤:在下电极上形成一层半球形颗粒(HSG)硅,其中每个HSGs在与下电极相接触的一面都具有一个直径较小的颈部;沉积一层硅膜,通过充填上述硅层的颈部外围与HSGs之间的间隙来覆盖住上述HSGs,同时保留所形成的HSGs的不平整形状;形成介电膜;形成上电极。
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公开(公告)号：CN1101596C
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN98109612.3
申请日：1998-06-04
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 广田俊幸
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L28/84
Abstract: 根据本发明，提供了一种方法，该方法可以确保形成DRAM中的半球形硅晶颗粒，其中DRAM具有堆栈电容器结构，而该结构中具有半球形硅晶颗粒，该方法可以将足量的杂质引入半球形硅晶颗粒，并可以防止耗尽引起的电容器退化。在本发明中，第一硅薄膜制作在具有MOS晶体管的半导体衬底上，并制成预定形状，然后在第一硅薄膜表面形成自生氧化层。顺次地，形成含有杂质的第二硅薄膜和不含杂质的第三硅薄膜，然后在不将其暴露在空气中的条件下，进行退火处理，形成半球形硅晶颗粒。此后，利用深腐蚀工艺将电极彼此分离，形成存储电极，最后形成介质薄膜和平板电极，制成电容器。
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公开(公告)号：CN1273435A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN00106196.8
申请日：2000-04-30
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L28/87 , H01L27/10852 , H01L28/84
Abstract: 一种制造圆柱形电容器的方法,包括以下步骤:在不改变孔形状的情况下,在含有孔的半导体衬底的整个表面上形成导电膜;用光刻胶厚厚地涂敷半导体的整个表面,以填充所述孔,其中至少在所述下电极形成区中,以入射光中相对于垂直于半导体衬底方向倾斜的光线为主进行曝光。根据本发明的方法,圆柱形电容器的孔内可以保留充足的光刻胶,以保护其内的导电膜,并可彻底去除孔外不必要部分的光刻胶。
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公开(公告)号：CN1226083A
公开(公告)日：1999-08-18
申请号：CN99100012.9
申请日：1999-01-05
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/108 , H01L29/41
Abstract: 半导体集成电路器件包含基本的包含存储单元和外围电路的电路构件的半导体子结构(SB),及非基本的半导体子结构(ISB),其包括形成在内层绝缘层(28)上的诸如对准标记的附加图形,对准标记具有通过内层绝缘层与硅基片的正面相固定的芯柱部分(30a),从而对准标记在生产过程中保持在原位。
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公开(公告)号：CN1217565A
公开(公告)日：1999-05-26
申请号：CN98124152.2
申请日：1998-11-07
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/30 , H01L21/00
Abstract: 一种制造半导体器件的方法,其中在半导体衬底上形成具有存储电极的电容器。该方法包括以下步骤:在半导体衬底上形成硅膜,同时形成第一和第二端点标记层,用于通过采用与硅膜材料不同的材料将硅膜在厚度方向上分成三部分;对包括第一和第二端点标记层的硅膜进行蚀刻;以及根据蚀刻材料的类型控制对硅膜的蚀刻深度,从而形成存储电极。
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