公开(公告)号：CN1078744C

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN96119844.3

申请日：1996-09-27

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 本间一郎 ,  渡边启仁

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817

Abstract: 本发明公开用于DRAM存贮器中的含电容器的半导体器件及其制作方法，该电容器包括其间插入电容器介质薄膜的第一和第二电容器电极，其第一电容器电极包括导体电极(53)和盘形导体层(57)，导体层(57)被导体电极托架并包括垂直于电极轴延伸的、且有平台周缘的平台部分以及平行于电极轴自平台周缘向电极端头延伸的周缘部分(59)。

公开(公告)号：CN1234611A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99100804.9

申请日：1999-02-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  本间一郎

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 本发明公开一种半球形颗粒状(HSG)下电极及其制备方法,提供一种电容器,其中包括:多晶硅下电极、介电膜、上电极,制备该电容器至少包括以下步骤:在下电极上形成一层半球形颗粒(HSG)硅,其中每个HSGs在与下电极相接触的一面都具有一个直径较小的颈部;沉积一层硅膜,通过充填上述硅层的颈部外围与HSGs之间的间隙来覆盖住上述HSGs,同时保留所形成的HSGs的不平整形状;形成介电膜;形成上电极。

公开(公告)号：CN1115730C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN99100804.9

申请日：1999-02-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  本间一郎

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 本发明公开一种半球形晶粒状HSG下电极及其制备方法，提供一种电容器，其中包括：多晶硅下电极、介电膜、上电极，制备该电容器至少包括以下步骤：在下电极上形成一层半球形晶粒HSG硅，其中每个HSG在与下电极相接触的一面都具有一个直径较小的颈部；沉积一层硅膜，通过充填上述硅层的颈部外围与HSG之间的间隙来覆盖住上述HSG，同时保留所形成的HSG的不平整形状；形成介电膜；形成上电极。

公开(公告)号：CN1226082A

公开(公告)日：1999-08-18

申请号：CN99100573.2

申请日：1999-02-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 本间一郎

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/822 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/84 ,  H01L21/321

Abstract: 提供一种制造半导体器件的方法,可以在较低温度将适量掺杂剂引入到半导体层的表面。第一步,在半导体基片上通过第一介质形成第一半导体层。第二步,热处理第一半导体层,形成与第一半导体层相同材料的半导体晶粒,使其表面粗糙。第三步,在含气体掺杂剂气氛中在约700～780℃热处理带有半导体晶粒的第一半导体层一特定时间,将掺杂剂从气氛中引入到第一半导体层的半导体晶粒中。优选在第二和第三步之间增设一形成不掺杂任何掺杂剂的第二介质层的步骤。

公开(公告)号：CN1151086A

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：CN96109886.4

申请日：1996-10-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡边启仁 ,  本间一郎

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817

Abstract: 本发明公开了一种可以被用作存贮单元的半导体器件，它包括一个电容器，一个波纹形电极被一个绝缘薄膜覆盖，并被用作电容器的下置电极，与一个上置电极相对。从剖面看，该叠层电极是由一系列水平地和竖直地交替叠在一起的折迭的部分界定的。具体而言，波纹形电极是由一座波纹形的墙壁形成的，该波纹形的墙壁围成一个空区并在一个平面上具有矩形或多边形的形状。作为另一种形式，波纹形的墙壁具有一种由颗粒的聚合形成的不规则的表面，以便有效地增大下置电极的表面。

公开(公告)号：CN1158001A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96119844.3

申请日：1996-09-27

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 本间一郎 ,  渡边启仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817

Abstract: 本发明公开用于DRAM存贮器中的含电容器的半导体器件及其制作方法，该电容器包括其间插入电容器介质薄膜的第一和第二电容器电极，其第一电容器电极包括导体电极(53)和盘形导体层(57)，导体层(57)被导体电极托架并包括垂直于电极轴延伸的、且有平台周缘的平台部分以及平行于电极轴自平台周缘向电极端头延伸的周缘部分(59)。

公开(公告)号：CN1107338C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN98125161.7

申请日：1998-11-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中森雅治 ,  本间一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 在一种半导体器件器件生产方法中，在非晶硅膜上生长半球形晶粒，用过氧化氢氨水溶液在一室温度下清洗硅晶片，或用过氧化氢盐酸水溶液，然后，浸入稀氢氟酸中，此后，用清水对其清洗，然后，用异丙基乙醇干燥晶片的非晶硅表面。

公开(公告)号：CN1218982A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98125161.7

申请日：1998-11-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中森雅治 ,  本间一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 在一种半导体器件生产方法中,在非晶硅膜上生长半球形晶粒,用过氧化氢氨水溶液在一室温度下清洗硅晶片,或用过氧化氢盐酸水溶液,然后,浸入稀氢氟酸中,此后,用清水对其清洗,然后,用异丙基乙醇干燥晶片的非晶硅表面。