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发明公开
制造圆柱形电容器下电极的方法失效转让

公开(公告)号：CN1273435A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00106196.8

申请日：2000-04-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 广田俊幸 , 竹田和浩

IPC: H01L21/28 , H01L21/70 , H01L27/10

CPC classification number: H01L28/87 , H01L27/10852 , H01L28/84

Abstract: 一种制造圆柱形电容器的方法,包括以下步骤:在不改变孔形状的情况下,在含有孔的半导体衬底的整个表面上形成导电膜;用光刻胶厚厚地涂敷半导体的整个表面,以填充所述孔,其中至少在所述下电极形成区中,以入射光中相对于垂直于半导体衬底方向倾斜的光线为主进行曝光。根据本发明的方法,圆柱形电容器的孔内可以保留充足的光刻胶,以保护其内的导电膜,并可彻底去除孔外不必要部分的光刻胶。

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