公开(公告)号：CN1147694A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96110030.3

申请日：1996-05-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  黑河智美 ,  善家昌伸 ,  横田和树

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L28/92 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种形成存储单元电容器的环形竖直延伸底电极的方法，包括：在层间绝缘体上形成导电膜；在膜上敷光致抗蚀剂材料，以形成光致抗蚀剂膜；用一掩模光刻使抗蚀剂膜构图，掩模包括透明板状基体和选择性地设在基体预定区域的相移膜，以在导电膜上形成环形竖直延伸的光致抗蚀剂图形；用环形竖直延伸的光致抗蚀剂图形作掩模，对导电膜进行各向异性蚀刻，以在该抗蚀剂图形下形成一环形竖直延伸的底电极；以及除去光致抗蚀剂图形。

公开(公告)号：CN1097851C

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN96110030.3

申请日：1996-05-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  黑河智美 ,  善家昌伸 ,  横田和树

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/92 ,  H01L27/10852

Abstract: 在动态随机存取存储器的存储单元中形成电容器的新方法，包括：在半导体衬底上形成层间绝缘体；在层间绝缘体上形成有至少一个开口的抗蚀剂图形；用该抗蚀剂图形作为掩模对层间绝缘体进行蚀刻以形成接触孔和/或中空部分；除去抗蚀剂图形；在层间绝缘体以及接触孔和中空部分中淀积硅膜；在硅膜上形成环形抗蚀剂图形；用该环形抗蚀剂图形作为掩模对硅膜进行蚀刻以形成底电极；除去环形抗蚀剂图形；在整个底电极表面上形成介电膜；在介电膜上形成顶电极。