公开(公告)号：CN1267082A

公开(公告)日：2000-09-20

申请号：CN00103118.X

申请日：2000-03-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横田和树

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20

Abstract: 一种图案标线片具有要传递至光敏层(4)和由不透明层(2)围绕的主图案(1a),和一个识别图案(3)环绕在不透明层(2)中,以此限定了要检测严重缺陷的区域。其中识别图案(3)补充有多个以间隔排列的不透明的部分如条带(7),这些不透明部分小于缩小投影光刻机(6)以最大分辨力传递的最小宽度;然而识别图案(3)或多个不透明部分(7)具有一个环形区域,宽于用图案识别系统能够识别的最小宽度,从而识别图案能够清楚地限定与分辨力无关的检测区域。

公开(公告)号：CN1147694A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96110030.3

申请日：1996-05-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  黑河智美 ,  善家昌伸 ,  横田和树

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L28/92 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种形成存储单元电容器的环形竖直延伸底电极的方法，包括：在层间绝缘体上形成导电膜；在膜上敷光致抗蚀剂材料，以形成光致抗蚀剂膜；用一掩模光刻使抗蚀剂膜构图，掩模包括透明板状基体和选择性地设在基体预定区域的相移膜，以在导电膜上形成环形竖直延伸的光致抗蚀剂图形；用环形竖直延伸的光致抗蚀剂图形作掩模，对导电膜进行各向异性蚀刻，以在该抗蚀剂图形下形成一环形竖直延伸的底电极；以及除去光致抗蚀剂图形。

公开(公告)号：CN1097851C

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN96110030.3

申请日：1996-05-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  黑河智美 ,  善家昌伸 ,  横田和树

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/92 ,  H01L27/10852

Abstract: 在动态随机存取存储器的存储单元中形成电容器的新方法，包括：在半导体衬底上形成层间绝缘体；在层间绝缘体上形成有至少一个开口的抗蚀剂图形；用该抗蚀剂图形作为掩模对层间绝缘体进行蚀刻以形成接触孔和/或中空部分；除去抗蚀剂图形；在层间绝缘体以及接触孔和中空部分中淀积硅膜；在硅膜上形成环形抗蚀剂图形；用该环形抗蚀剂图形作为掩模对硅膜进行蚀刻以形成底电极；除去环形抗蚀剂图形；在整个底电极表面上形成介电膜；在介电膜上形成顶电极。