公开(公告)号：CN1457095A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02151306.6

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN1226742A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN99102533.4

申请日：1999-02-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山西信之 ,  广田俊幸

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/82 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法,在这种半导体器件中,圆柱形构件的内壁表面和外壁表面的半球状颗粒尺寸是一样的,以促进表面面积的增加,并防止在相临圆柱形构件之间的短路。通过(i)去除非晶态硅初始生长层或(ii)抑制初始生长层的作用来实现上述目的。

公开(公告)号：CN100464417C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN02151306.6

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN101465336B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200910003470.2

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。

公开(公告)号：CN101465336A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200910003470.2

申请日：2002-11-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大音光市 ,  竹胁利至 ,  宇佐美达矢 ,  山西信之

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。