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公开(公告)号：CN1519925A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003636.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , C23C16/30
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L23/5222 , H01L23/53228 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Cu扩散功能、低介电常数和对Cu互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜(例如，第二阻挡膜6)被制作成具有分层结构，该结构由含有硅和碳(优选地，硅、碳和氮)且拥有不同碳含量的多个膜构成，并且，确切地，拥有低碳含量的低碳浓度膜6a被设为其下层而拥有高碳含量的高碳浓度膜6b被设为其上层，从而通过设置低碳浓度膜6a能够切实提供有效的防Cu扩散的能力、高蚀刻选择比例和对Cu互连的良好的粘附性，而通过设置高碳浓度膜6b能够充分降低整体介电常数。
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公开(公告)号：CN1519925B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410003636.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , C23C16/30
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L23/5222 , H01L23/53228 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Cu扩散功能、低介电常数和对Cu互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜(例如，第二阻挡膜6)被制作成具有分层结构，该结构由含有硅和碳(优选地，硅、碳和氮)且拥有不同碳含量的多个膜构成，并且，确切地，拥有低碳含量的低碳浓度膜6a被设为其下层而拥有高碳含量的高碳浓度膜6b被设为其上层，从而通过设置低碳浓度膜6a能够切实提供有效的防Cu扩散的能力、高蚀刻选择比例和对Cu互连的良好的粘附性，而通过设置高碳浓度膜6b能够充分降低整体介电常数。
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公开(公告)号：CN100464417C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN02151306.6
申请日：2002-11-15
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7681 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/3124 , H01L21/32136 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。
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公开(公告)号：CN101465336B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910003470.2
申请日：2002-11-15
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7681 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/3124 , H01L21/32136 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465336A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910003470.2
申请日：2002-11-15
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7681 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/3124 , H01L21/32136 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。
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公开(公告)号：CN1457095A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN02151306.6
申请日：2002-11-15
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7681 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/3124 , H01L21/32136 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76834 , H01L21/76883 , H01L21/76886 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层(101、201)上形成具有沟槽的绝缘夹层(103，203)。包括非金属硅化物的含硅金属层(111，221)埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层(109、208)。
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公开(公告)号：CN1518075B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410001855.2
申请日：2004-01-14
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/7681 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5-5左右，SiOC的介电常数为2.8-3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1518075A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001855.2
申请日：2004-01-14
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/312 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/7681 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/76801 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5－5左右，SiOC的介电常数为2.8－3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1372313A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02105097.X
申请日：2002-02-21
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/3143 , H01L21/3144 , H01L21/3148 , H01L21/31633 , H01L21/3185 , H01L21/321 , H01L21/3212 , H01L21/76802 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76883
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,可以在控制其电阻增加的同时提高互连寿命,另外,可以提高制造稳定性;用包括氮元素的源气,通过对铜互连17的表面进行等离子处理,形成氮化铜层24,此后形成氮化硅膜18。在氮化铜膜24下,形成薄的硅化铜层25。
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