公开(公告)号：CN1215916A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98119996.8

申请日：1998-08-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小柳贤一 ,  藤井邦宏 ,  宇佐美达矢 ,  岸本光司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括至少部分包括含氟膜并且形成在半导体衬底上面的绝缘膜,和形成在绝缘膜上面的氮化钛膜。上述的钛膜作为阻挡金属膜,用于阻挡氟(F)原子的扩散。

公开(公告)号：CN1264171A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN99127767.8

申请日：1999-12-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 岸本光司

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/31

Abstract: 一种制造用于元件隔离的高可靠性浅槽隔离的半导体器件的方法。该方法包括:制备半导体衬底;在所述半导体衬底中形成槽;在对所述半导体衬底施加高频电压的同时,通过使用高密度等离子体CVD方法在所述半导体衬底上形成氧化硅膜,使所述氧化硅膜材料充满所述槽;在对所述半导体衬底施加高频电压的同时,通过使用高密度等离子体CVD方法在所述氧化硅膜上形成磷掺杂氧化硅膜;以及去除所述磷掺杂氧化硅膜和部分所述氧化硅膜。为使氧化硅膜材料充满槽,使形成在半导体衬底上的氧化硅膜厚度比槽深度厚。

公开(公告)号：CN1198015A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98101625.1

申请日：1998-04-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  山田义明 ,  岸本光司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种多层互连结构,包括:形成于半导体衬底上的互连接层;用于掩埋互连层之间的区域的掺氟氧化膜;及形成于掺氟氧化膜上的氧化膜,该氧化膜有平面化的表面,且不含氟。还公开了一种形成多层互连结构的方法。

公开(公告)号：CN1106043C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN98100991.3

申请日：1998-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  山田义明 ,  岸本光司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种对布线上的等离子体SiOF氧化层有良好键合性能并对掩埋布线间隔部位有良好掩埋性能的半导体器件。它在半导体衬底上淀积形成一层要作布线基底的金属层，在金属层上淀积形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层，并在抗反射层上淀积形成一层绝缘层。之后，加工绝缘层图形并用其作掩膜刻蚀抗反射层和金属层加工布线图形并在布线上留有抗反射层和绝缘层。再将加工成图形的布线连同抗反射层和绝缘层一起掩埋入SiOF层。

公开(公告)号：CN1236984A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99103370.1

申请日：1999-03-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  岸本光司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76859 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

Abstract: 在制取半导体器件的工艺中,包括一个形成精细布线的步骤,此步骤是为了提供一个能够均匀而准确地形成一层阻隔层金属如钽的膜以防止作为布线的主要材料的金属如铜向氧化硅中扩散的工艺。阻隔层金属的氧化物是在基片之上沉积的,在基片上,通过如CVD工艺形成了通孔。通过向含有H离子的溶液中的氧化物提供负电势而还原氧化物,从而形成具有高质量的阻隔层金属膜。随后,通过镀覆工艺或类似工艺埋置主要金属以及抛光以除去不必要的部分,从而形成埋置布线。

公开(公告)号：CN1229273A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN99102968.2

申请日：1999-03-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 岸本光司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76837

Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤:在半导体衬底上形成绝缘膜,并在绝缘膜上形成多个下布线;形成具有倒悬形式的第一绝缘膜,覆盖下布线和绝缘膜表面;在第一绝缘膜上形成包含有机物的涂敷绝缘膜;烘焙包含有机物的涂敷绝缘膜;对包含有机物的涂敷绝缘膜的一部分深腐蚀;在第一绝缘膜和包含有机物的涂敷绝缘膜上形成第二绝缘膜;抛光第二绝缘膜,使其表面平面化;腐蚀第一绝缘膜和第二绝缘膜的预定部分,形成达到下布线的孔;将金属材料掩埋进孔中。

公开(公告)号：CN1198014A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98100991.3

申请日：1998-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  山田义明 ,  岸本光司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种对布线上的等离子体SiOF氧化层有良好键合性能并对掩埋布线间隔部位有良好掩埋性能的半导体器件。它在半导体衬底上淀积形成一层要作布线基底的金属层,在金属层上淀积形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层,并在抗反射层上淀积形成一层绝缘层。之后,加工绝缘层图形并用其作掩膜刻蚀抗反射层和金属层加工布线图形并在布线上留有抗反射层和绝缘层。再将加工成图形的布线连同抗反射层和绝缘层一起掩埋入SiOF层。