公开(公告)号：CN1241808A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99109596.0

申请日：1999-07-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/326 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于两个电子元件1和4间连接的连接装置,所述装置被设置在包括两个热膨胀系数不同的金属层6和7的第一电子元件1上,而多个侧壁部件20a被设置在所述金属层19上,以给第二电子元件40形成连接空间35。

公开(公告)号：CN1198015A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98101625.1

申请日：1998-04-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  山田义明 ,  岸本光司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76837 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种多层互连结构,包括:形成于半导体衬底上的互连接层;用于掩埋互连层之间的区域的掺氟氧化膜;及形成于掺氟氧化膜上的氧化膜,该氧化膜有平面化的表面,且不含氟。还公开了一种形成多层互连结构的方法。

公开(公告)号：CN1118094C

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN99109596.0

申请日：1999-07-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/326 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于两个电子元件1和4间连接的连接装置，所述装置被设置在包括两个热膨胀系数不同的金属层6和7的第一电子元件1上，而多个侧壁部件20a被设置在所述金属层19上，以给第二电子元件40形成连接空间35。

公开(公告)号：CN1106043C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN98100991.3

申请日：1998-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  山田义明 ,  岸本光司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种对布线上的等离子体SiOF氧化层有良好键合性能并对掩埋布线间隔部位有良好掩埋性能的半导体器件。它在半导体衬底上淀积形成一层要作布线基底的金属层，在金属层上淀积形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层，并在抗反射层上淀积形成一层绝缘层。之后，加工绝缘层图形并用其作掩膜刻蚀抗反射层和金属层加工布线图形并在布线上留有抗反射层和绝缘层。再将加工成图形的布线连同抗反射层和绝缘层一起掩埋入SiOF层。

公开(公告)号：CN1245350A

公开(公告)日：2000-02-23

申请号：CN99111369.1

申请日：1999-08-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基片上形成一层间绝缘膜,其中包含由具有Si－H键或Si－CH3键的化学式所表示的介电成分。接着,在该层间绝缘膜上形成一层光刻胶。然后把所述光刻胶构图成为接触孔的形状。此后,通过利用所述光刻胶作为掩模对所述层间绝缘膜进行干法蚀刻。接着,除去所述光刻胶,并且使所述层间绝缘膜暴露于氮等离子体和氢等离子体下。

公开(公告)号：CN1236984A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99103370.1

申请日：1999-03-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  岸本光司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76859 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

Abstract: 在制取半导体器件的工艺中,包括一个形成精细布线的步骤,此步骤是为了提供一个能够均匀而准确地形成一层阻隔层金属如钽的膜以防止作为布线的主要材料的金属如铜向氧化硅中扩散的工艺。阻隔层金属的氧化物是在基片之上沉积的,在基片上,通过如CVD工艺形成了通孔。通过向含有H离子的溶液中的氧化物提供负电势而还原氧化物,从而形成具有高质量的阻隔层金属膜。随后,通过镀覆工艺或类似工艺埋置主要金属以及抛光以除去不必要的部分,从而形成埋置布线。

公开(公告)号：CN1234605A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99107398.3

申请日：1999-04-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件,其中,在形成在衬底上的层间绝缘膜中形成开孔,在开孔内形成有互连部分,其一端和所述衬底接触,还形成有金属层构成的通孔部分,位于所述的互连部分的另一端,在所述开孔中的所述通孔部分对面的内壁表面部分上形成有保护膜。

公开(公告)号：CN1198014A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98100991.3

申请日：1998-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 横山孝司 ,  山田义明 ,  岸本光司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种对布线上的等离子体SiOF氧化层有良好键合性能并对掩埋布线间隔部位有良好掩埋性能的半导体器件。它在半导体衬底上淀积形成一层要作布线基底的金属层,在金属层上淀积形成一层难熔金属或其化合物的抗反射层,并在抗反射层上淀积形成一层绝缘层。之后,加工绝缘层图形并用其作掩膜刻蚀抗反射层和金属层加工布线图形并在布线上留有抗反射层和绝缘层。再将加工成图形的布线连同抗反射层和绝缘层一起掩埋入SiOF层。