公开(公告)号：CN1215916A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98119996.8

申请日：1998-08-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小柳贤一 ,  藤井邦宏 ,  宇佐美达矢 ,  岸本光司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括至少部分包括含氟膜并且形成在半导体衬底上面的绝缘膜,和形成在绝缘膜上面的氮化钛膜。上述的钛膜作为阻挡金属膜,用于阻挡氟(F)原子的扩散。

公开(公告)号：CN1234607A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99107542.0

申请日：1999-04-27

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小柳贤一

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/76224

Abstract: 提供形成沟槽隔离结构的方法,可防止如形成在隔离沟槽上的隔离介质的空隙、裂缝和凹部的缺陷产生而没有如隔离区扩大、隔离能力降低和漏电增加的问题。该方法包括:在半导体衬底中形成隔离沟槽以从衬底主表面暴露沟槽顶部;用过氢化硅氮烷聚合物溶液通过旋涂法覆盖衬底的整个主表面,从而形成覆盖衬底的整个主表面的溶液膜,沟槽完全被溶液膜填充;通过化学反应将溶液膜转变成硅氧化物膜;有选择地去除覆盖衬底的主表面的硅氧化物膜,留下部分氧化物膜充当沟槽隔离结构的隔离介质。

公开(公告)号：CN1113407C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN99107542.0

申请日：1999-04-27

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小柳贤一

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/76224

Abstract: 提供形成沟槽隔离结构的方法，可防止如形成在隔离沟槽上的隔离介质的空隙、裂缝和凹部的缺陷产生而没有如隔离区扩大、隔离能力降低和漏电增加的问题。该方法包括：在半导体衬底中形成隔离沟槽以从衬底主表面暴露沟槽顶部；用过氢化硅氮烷聚合物溶液通过旋涂法覆盖衬底的整个主表面，从而形成覆盖衬底的整个主表面的溶液膜，沟槽完全被溶液膜填充；通过化学反应将溶液膜转变成硅氧化物膜；有选择地去除覆盖衬底的主表面的硅氧化物膜，留下部分氧化物膜充当沟槽隔离结构的隔离介质。