公开(公告)号：CN1107976C

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN98100377.X

申请日：1998-01-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 藤井邦宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/823835

Abstract: 掺杂剂杂质被离子注入进分配给场效应晶体管的有源区(60a/60b)中，其后，从掺杂区上的一个钛层(86)中形成硅化钛层(87-92)；当掺杂剂杂质被离子注入进掺杂区中时，光刻胶离子注入掩模(76/81)防止没有分配给任何电路元件的一个宽非有源区(60c)被离子注入掺杂剂杂质，在宽非有源区上也生长出一层厚的硅化钛层(93)；甚至当硅化钛层(87-93)热退火时，宽非有源区上的厚硅化钛层(93)也不会被严重地凝结，使得夹层绝缘层(97)很难从宽非有源区上的硅化钛层上脱落下来。

公开(公告)号：CN1215916A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98119996.8

申请日：1998-08-22

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 小柳贤一 ,  藤井邦宏 ,  宇佐美达矢 ,  岸本光司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括至少部分包括含氟膜并且形成在半导体衬底上面的绝缘膜,和形成在绝缘膜上面的氮化钛膜。上述的钛膜作为阻挡金属膜,用于阻挡氟(F)原子的扩散。

公开(公告)号：CN1189688A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN98100377.X

申请日：1998-01-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 藤井邦宏

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/823835

Abstract: 掺杂剂杂质被离子注入进分配给场效应晶体管的有源区(60a/60b)中,其后,从掺杂区上的一个钛层(86)中形成硅化钛层(87—92);当掺杂剂杂质被离子注入进掺杂区中时,光刻胶离子注入掩模(76/81)防止没有分配给任何电路元件的一个宽非有源区(60c)被离子注入掺杂剂杂质,在宽非有源区上也生长出一层厚的硅化钛层(93);甚至当硅化钛层(87—93)热退火时,宽非有源区上的厚硅化钛层(93)也不会被严重地凝结,使得夹层绝缘层(97)很难从宽非有源区上的硅化钛层上脱落下来。