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公开(公告)号:CN1227413A
公开(公告)日:1999-09-01
申请号:CN99100787.5
申请日:1999-03-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/3205 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/2855 , H01L21/3212 , H01L21/763 , H01L21/7684
Abstract: 一种半导体器件,包括半导体基片(1),形成于半导体基片(1)上具有至少一个沟槽或孔(5)的绝缘层(4),覆盖于沟槽或孔(5)的内壁的阻挡金属层(6),至少一层导电层(7)形成于阻挡金属层(6)上,填充沟槽或孔(5),其中设X代表具有最大布线长度的导电层(7)中的沟槽或孔(5)的最大深度,Y代表导电层(7)的厚度,Y比X的比率(X/Y)被设定为小于或等于0.1。该半导体器件能够避免在导电膜(7)中出现碟状凹陷。
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公开(公告)号:CN1227404A
公开(公告)日:1999-09-01
申请号:CN99100859.6
申请日:1999-02-26
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/768
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种利用经济上有利且简便的方法通过化学机械研磨使金属膜的研磨面平整,即达到研磨速度在平面均匀性的半导体装置的制造方法。该法包括使用了含氧化铝拉子与作为氧化剂的H2O2的浆液对铜表面进行化学机械研磨的工艺,其特征是研磨时氧化铝粒子含量为浆液总量的2—10重量%,而所述氧化铝的浓度为浆液中的液体成分的8—26重量%。
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公开(公告)号:CN1098746C
公开(公告)日:2003-01-15
申请号:CN99100796.4
申请日:1999-02-26
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 用于抛光衬底的装置,包括(a)形成有多个通孔的抛光垫片(4),抛光浆料(6)通过这些通孔输送到所述抛光垫片(4)表面上;(b)其上安装抛光垫片(4)的水平台(3);和(c)用于支撑衬底(1)的可旋转载体(2),载体(2)面对所述水平台(3)设置,水平台(3)可绕其自身的旋转轴(3A)旋转,水平台的旋转轴(3A)绕着可旋转载体的轴线转动,使抛光垫片(4)与衬底(1)接触,用于抛光衬底(1),其特征在于,抛光垫片(4)具有不形成通孔且与其同心的第一环形(4a)或圆形(4e)区域。
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公开(公告)号:CN1204142A
公开(公告)日:1999-01-06
申请号:CN98102661.3
申请日:1998-06-26
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/022 , H01L21/0212 , H01L21/02134 , H01L21/02164 , H01L21/02203 , H01L21/0332 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3124 , H01L21/3205 , H01L21/32136 , H01L21/32139 , H01L21/76802 , H01L21/76811 , H01L21/76813
Abstract: 在半导体基片上形成其介电常数低于氧化硅膜的第一绝缘膜。接着,在第一绝缘膜上形成的具有吸湿度且在氧气等离子体处理中变形并对暴露在剥脱溶液中的金属膜或第二绝缘膜相同或少于氧化硅膜中的吸湿度。然后,将金属膜或第二绝缘制作成规定图形。使用金属膜或第二绝缘膜作为掩膜在第一绝缘膜中形成一开口。
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公开(公告)号:CN1227152A
公开(公告)日:1999-09-01
申请号:CN99100796.4
申请日:1999-02-26
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 用于抛光衬底的装置,包括(a)形成有多个通孔的抛光垫片(4),抛光材料(6)通过这些通孔输送到所述抛光垫片(4)表面上;(b)其上安装抛光垫片(4)的水平台(3);和(c)用于支撑衬底(1)的可旋转载体(2),载体(2)面对所述水平台(3)设置,水平台(3)可绕旋转轴(3A)旋转,旋转轴(3A)沿弧形路径运动,使抛光垫片(4)与衬底(1)接触,用于抛光衬底(1),其特征在于,抛光垫片(4)具有不形成通孔且与其同心的第一环形(4a)或圆形(4e)区域。
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