半导体装置的制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1227404A

    公开(公告)日:1999-09-01

    申请号:CN99100859.6

    申请日:1999-02-26

    CPC classification number: C09G1/02 C09K3/1463 H01L21/3212

    Abstract: 本发明提供一种利用经济上有利且简便的方法通过化学机械研磨使金属膜的研磨面平整,即达到研磨速度在平面均匀性的半导体装置的制造方法。该法包括使用了含氧化铝拉子与作为氧化剂的H2O2的浆液对铜表面进行化学机械研磨的工艺,其特征是研磨时氧化铝粒子含量为浆液总量的2—10重量%,而所述氧化铝的浓度为浆液中的液体成分的8—26重量%。

    化学机械抛光装置和化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN1098746C

    公开(公告)日:2003-01-15

    申请号:CN99100796.4

    申请日:1999-02-26

    CPC classification number: B24B57/02 B24B37/04 B24B37/26

    Abstract: 用于抛光衬底的装置,包括(a)形成有多个通孔的抛光垫片(4),抛光浆料(6)通过这些通孔输送到所述抛光垫片(4)表面上;(b)其上安装抛光垫片(4)的水平台(3);和(c)用于支撑衬底(1)的可旋转载体(2),载体(2)面对所述水平台(3)设置,水平台(3)可绕其自身的旋转轴(3A)旋转,水平台的旋转轴(3A)绕着可旋转载体的轴线转动,使抛光垫片(4)与衬底(1)接触,用于抛光衬底(1),其特征在于,抛光垫片(4)具有不形成通孔且与其同心的第一环形(4a)或圆形(4e)区域。

    化学机械抛光装置和化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN1227152A

    公开(公告)日:1999-09-01

    申请号:CN99100796.4

    申请日:1999-02-26

    CPC classification number: B24B57/02 B24B37/04 B24B37/26

    Abstract: 用于抛光衬底的装置,包括(a)形成有多个通孔的抛光垫片(4),抛光材料(6)通过这些通孔输送到所述抛光垫片(4)表面上;(b)其上安装抛光垫片(4)的水平台(3);和(c)用于支撑衬底(1)的可旋转载体(2),载体(2)面对所述水平台(3)设置,水平台(3)可绕旋转轴(3A)旋转,旋转轴(3A)沿弧形路径运动,使抛光垫片(4)与衬底(1)接触,用于抛光衬底(1),其特征在于,抛光垫片(4)具有不形成通孔且与其同心的第一环形(4a)或圆形(4e)区域。

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