公开(公告)号：CN1096109C

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN97116948.9

申请日：1997-09-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山崎进也

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67057

Abstract: 一种用于制造半导体器件和液晶显示面板的湿法处理装置包括使用第一种化学试剂进行第一种工艺的第一操作室(1)和使用第二种化学试剂进行第二种工艺的第二操作室(2)，位于第一和第二操作室之间用于接收纯水的分离池(3’)。以及，可移动隔板(4’)设置在第一和第二操作室之间，将第一操作室与第二操作室隔离开，可移动隔板的下端浸在所述分离池的纯水的液面下。

公开(公告)号：CN1178390A

公开(公告)日：1998-04-08

申请号：CN97116948.9

申请日：1997-09-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山崎进也

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67057

Abstract: 一种湿法处理装置包括使用第一种化学试剂进行第一种工艺的第一操作室(1)和使用第二种化学试剂进行第二种工艺的第二操作室(2),位于第一和第二操作室之间用于接收纯水的分离池(3’)。以及,可移动隔板(4’)设置在第一和第二操作室之间,将第一操作室与第二操作室隔离开,可移动隔板的下端浸在所述分离池的纯水的液面下。

公开(公告)号：CN1267904A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00102991.6

申请日：2000-03-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山崎进也 ,  青木秀充

IPC: H01L21/304 ,  C23F1/08 ,  B08B3/02

CPC classification number: C23F1/26 ,  B08B3/02 ,  C23F1/08 ,  C23F1/18 ,  C23G3/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68707

Abstract: 提供一种蚀刻/清洗设备。该设备具有好的控制性并使得有选择性地清除存在于半导体晶片上的不需要的杂质而没有损害器件区域成为可能。装置包括:(a)用于固定半导体晶片和在水平面旋转所述晶片的旋转装置;在晶片的正面有器件区域和正面圆周区域;正面圆周区域放置在器件区域的外部;以及(b)向晶片的正面圆周区域喷射蚀刻/清洗液体的边缘喷嘴。

公开(公告)号：CN1204142A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98102661.3

申请日：1998-06-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宇佐美达矢 ,  青木秀充 ,  土屋泰章 ,  山崎进也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 在半导体基片上形成其介电常数低于氧化硅膜的第一绝缘膜。接着,在第一绝缘膜上形成的具有吸湿度且在氧气等离子体处理中变形并对暴露在剥脱溶液中的金属膜或第二绝缘膜相同或少于氧化硅膜中的吸湿度。然后,将金属膜或第二绝缘制作成规定图形。使用金属膜或第二绝缘膜作为掩膜在第一绝缘膜中形成一开口。