公开(公告)号：CN1227413A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN99100787.5

申请日：1999-03-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松原义久 ,  井口学 ,  伊藤信和 ,  铃木三惠子 ,  土屋泰章

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/763 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体基片(1)，形成于半导体基片(1)上具有至少一个沟槽或孔(5)的绝缘层(4)，覆盖于沟槽或孔(5)的内壁的阻挡金属层(6)，至少一层导电层(7)形成于阻挡金属层(6)上，填充沟槽或孔(5)，其中设X代表具有最大布线长度的导电层(7)中的沟槽或孔(5)的最大深度，Y代表导电层(7)的厚度，Y比X的比率(X/Y)被设定为小于或等于0.1。该半导体器件能够避免在导电膜(7)中出现碟状凹陷。