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公开(公告)号：CN104718314B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201380054227.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吕新亮 , 唐薇 , 周静 , 赛沙德利·甘古利 , 杰弗里·W·安西斯 , 阿蒂夫·努里 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 张镁 , 陈世忠
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534
Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。
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公开(公告)号：CN104254914A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380021611.8
申请日：2013-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28088 , H01L21/3221 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。
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公开(公告)号：CN119768908A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380064123.9
申请日：2023-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/532
Abstract: 用于减小接触电阻的方法包括在中间工序(MOL)接触结构上执行选择性硅化钛(TiSi)沉积工艺，该中间工序(MOL)接触结构包括在介电材料的基板中的空腔。接触结构亦包括在空腔的底部处的硅基连接部分。相对于介电材料，选择性TiSi沉积工艺对硅基材料有选择性。方法亦包括在MOL接触结构上执行金属材料的选择性沉积工艺。相对于介电材料，选择性沉积工艺对TiSi材料有选择性且在硅基连接部分上形成硅化物封盖层。方法进一步包括在接触结构上执行金属材料的种晶层沉积工艺。
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公开(公告)号：CN115244212B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202180018843.2
申请日：2021-03-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/04 , G02B5/08 , G02B1/02
Abstract: 本文描述了用于形成反射膜的方法和装置。在基板表面上形成衬垫，接着形成反射层，以使得在衬垫和反射层的形成之间不存在氧暴露。在一些实施方式中，通过在结构的顶部抑制生长的同时，用反射材料部分填充结构，使基板的顶部再活化，且随后用反射材料填充结构来用反射材料填充高深宽比结构。
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公开(公告)号：CN110870048B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201880027819.3
申请日：2018-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的
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公开(公告)号：CN115244212A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180018843.2
申请日：2021-03-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/04 , G02B5/08 , G02B1/02
Abstract: 本文描述了用于形成反射膜的方法和装置。在基板表面上形成衬垫，接着形成反射层，以使得在衬垫和反射层的形成之间不存在氧暴露。在一些实施方式中，通过在结构的顶部抑制生长的同时，用反射材料部分填充结构，使基板的顶部再活化，且随后用反射材料填充结构来用反射材料填充高深宽比结构。
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公开(公告)号：CN112789706A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064571.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 兹描述通过将基板表面暴露于卤化物前驱物和铝反应物来沉积金属碳化物膜的方法。卤化物前驱物包含通式(I)MXyRn的化合物，其中M为金属，X为选自Cl、Br、F或I的卤素，y为从1至6，R选自烷基、CO及环戊二烯基，且n为从0至6。铝反应物包含通式(II)Al(CH2AR1R2R3)3的化合物，其中A为C、Si或Ge，各R1、R2及R3独立地为烷基或实质上不包含β‑氢。
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公开(公告)号：CN111244093A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911122441.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 描述了存储器装置和形成存储器装置的方法。所述存储器装置包括两个功函数金属层，其中一个功函数层具有比另一个功函数层低的功函数。低功函数层可以减少栅极诱发的漏极泄漏电流损耗。还描述了形成存储器装置的方法。
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公开(公告)号：CN110582845A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880028696.5
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。
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公开(公告)号：CN104254914B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380021611.8
申请日：2013-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28088 , H01L21/3221 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。
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