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公开(公告)号：CN108369921B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱
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公开(公告)号：CN105580128B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201480053119.3
申请日：2014-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。
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公开(公告)号：CN105874888A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201580003720.6
申请日：2015-01-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32458 , H01J37/32522 , H01J37/32669
Abstract: 一种等离子体源包括：等离子体容器，所述等离子体容器包括电介质材料，所述等离子体容器围封环形形状的空腔。所述环形形状界定贯穿该环形形状的环形轴。所述容器形成输入和输出连接装置，输入和输出连接装置中的每一个与空腔流体地连通。一个或更多个金属板设置成邻近等离子体容器以用于冷却所述等离子体容器。磁芯沿所述环形轴而设置，使得所述磁芯的相应的第一端和第二端延伸超出等离子体容器的轴向相对的各侧。第一和第二感应线圈缠绕磁芯的相应的第一端和第二端。当通过所述输入连接装置供应输入气体并且将振荡电流供应至所述第一和第二感应线圈时，在所述空腔中生成等离子体。
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公开(公告)号：CN101939821B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200980104237.1
申请日：2009-01-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32412 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01L21/2236
Abstract: 通过在晶片引入之前，首先在内部腔室表面上沉积部分导电的含硅处理层，来执行等离子体浸没式离子注入，该等离子体浸没式离子注入利用静电夹盘上的非常高的射频偏置电压，以达到需要的注入深度剖面。
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公开(公告)号：CN100557756C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200410078080.9
申请日：2004-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/077 , H01J37/20 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/077 , H01J37/3171 , H01J2237/0044 , H01J2237/06375
Abstract: 本发明提供一种可喷出低能量电子从而减轻了维护负担的电子喷射装置及具有该电子喷射装置的离子注入装置。本发明的电子喷射装置(1)具有舱室(22)，该舱室(22)沿着规定的闭曲线(Ax)延伸并具有由导体构成的第一部分(22a)和由绝缘体构成的第二部分(22b)。在第一部分(22a)的外侧设置有线圈(18)，从而在与规定的闭曲线(Ax)所形成的面交叉的方向上形成磁场。通过该磁场，线圈(18)与舱室(22)感应耦合。由于惰性气体的等离子体主要通过感应耦合在舱室(22)生成，因此等离子体中的电子具有低能量。这里，向电极(21)施加电压时，舱室(22)内的具有低能量的电子将从开口(14)喷出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1693536A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068279.8
申请日：2005-05-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/513
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C14/48 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/2001 , H01L21/02126 , H01L21/2236 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/6659 , Y10T29/5313
Abstract: 一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约10兆赫大小的高频射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流，向工件施加一或几兆赫大小的低频射频等离子体偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。
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公开(公告)号：CN113972162A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111232228.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN108369921A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C16/4586 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路。DC夹紧电路、第一RF驱动电路以及第二RF驱动电路电耦合至电极。
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公开(公告)号：CN106575634A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043795.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , J·D·平森二世 , 塙广二 , 周建华 , 林兴 , 段仁官 , K·D·李 , 金柏涵 , S·P·贝海拉 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·K·库尔施拉希萨 , J·K·福斯特 , M·斯利尼瓦萨恩 , U·P·哈勒 , H·K·博尼坎帝
IPC: H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/68757 , H02N13/00
Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
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公开(公告)号：CN101167164A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200680014181.7
申请日：2006-04-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 塙广二
IPC: H01L21/306 , B05C11/00
CPC classification number: F16K1/526 , F16K1/22 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/87531
Abstract: 一种阀系统，具有高的最大气体导通性和对气体导通性的精密控制，所述阀系统包括：阀壳体，用于阻挡经过气体流路的气流；穿过所述壳体的大面积开口，具有第一弓形侧壁；穿过所述壳体的小面积开口，具有第二弓形侧壁；以及大面积和小面积可旋转阀翼片，分别位于所述大面积开口和小面积开口中并具有分别与所第一和第二弓形侧壁一致的弓形边缘，并在其间分别限定了第一阀间隙和第二阀间隙。第一阀间隙和第二阀间隙小到足以阻挡高达预定压力限制的所述阀壳体一侧的气流，从而消除了对O形环的任何需要。
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