公开(公告)号：CN102832151B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210299637.6

申请日：2009-02-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马耶德·A·福阿德 ,  李实健

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/68 ,  G01N21/59 ,  H01L21/26513 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明的具体实施方式提供一种在等离子体掺杂工艺期间用来检测预设掺杂物浓度终点的方法。在一具体实施方式中，此方法包含：将基板置于处理腔室中；于该处理腔室中的紧邻该基板的上表面处产生等离子体；传送光线穿过该基板；由传感器接收该光线；产生起始信号，该起始信号与该传感器所接收到的该光线成比例；在掺杂工艺中，以掺杂物注入该基板；与增加的掺杂物浓度成比例地来调控由该传感器所接收到的该光线；当该基板具有最终掺杂物浓度时，产生与由该传感器所接收到的该光线成比例的终点信号；以及停止该基板的掺杂物注入。

公开(公告)号：CN101939821B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200980104237.1

申请日：2009-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李实健 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  塙广二 ,  塞奥-米·乔 ,  比亚吉欧·加洛 ,  崔东元 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/32412 ,  C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01L21/2236

Abstract: 通过在晶片引入之前，首先在内部腔室表面上沉积部分导电的含硅处理层，来执行等离子体浸没式离子注入，该等离子体浸没式离子注入利用静电夹盘上的非常高的射频偏置电压，以达到需要的注入深度剖面。

公开(公告)号：CN101971317B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980108920.2

申请日：2009-02-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马耶德·A·福阿德 ,  李实健

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC classification number: G01N21/68 ,  G01N21/59 ,  H01L21/26513 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明的具体实施方式提供一种在等离子体掺杂工艺期间用来检测预设掺杂物浓度终点的方法。在一具体实施方式中，此方法包含：将基板置于处理腔室中；于基板上产生一等离子体，并使等离子体所产生的光线穿过基板，其中光线是由基板的上表面进入并由基板的下表面离开，且光线由位于基板下方的传感器接收。此方法还包含：产生一信号，其与传感器所接收的光线成比例；在掺杂工艺中，将掺杂物注入此基板；在掺杂工艺中产生多组光信号，其与传感器所接收的光的减少量成比例；当基板具有最终掺杂物浓度时，产生一终点信号，其与传感器所接收的光成比例；以及停止掺杂工艺。

公开(公告)号：CN102522324B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201110424053.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李实健 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  比亚吉欧·加洛 ,  李东亨 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明揭示一种对基板进行共形掺杂的方法，所述基板具有沟道，所述沟道具有侧壁和底部部分，所述方法包括：将所述基板放置在等离子体腔室内；向所述腔室提供掺杂剂源和蚀刻剂；在所述腔室中形成电感耦合等离子体；给所述基板施加偏压；以及在掺杂剂注入所述侧壁和所述底部部分时，通过调整掺杂剂源和蚀刻剂进入所述腔室的流速的比率，来对掺杂剂注入所述侧壁和所述底部进行控制。

公开(公告)号：CN102522324A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110424053.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李实健 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  比亚吉欧·加洛 ,  李东亨 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明揭示一种对基板进行共形掺杂的方法，所述基板具有沟道，所述沟道具有侧壁和底部部分，所述方法包括：将所述基板放置在等离子体腔室内；向所述腔室提供掺杂剂源和蚀刻剂；在所述腔室中形成电感耦合等离子体；给所述基板施加偏压；以及在掺杂剂注入所述侧壁和所述底部部分时，通过调整掺杂剂源和蚀刻剂进入所述腔室的流速的比率，来对掺杂剂注入所述侧壁和所述底部进行控制。

公开(公告)号：CN102832151A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210299637.6

申请日：2009-02-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马耶德·A·福阿德 ,  李实健

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/68 ,  G01N21/59 ,  H01L21/26513 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明的具体实施方式提供一种在等离子体掺杂工艺期间用来检测预设掺杂物浓度终点的方法。在一具体实施方式中，此方法包含：将基板置于处理腔室中；于该处理腔室中的紧邻该基板的上表面处产生等离子体；传送光线穿过该基板；由传感器接收该光线；产生起始信号，该起始信号与该传感器所接收到的该光线成比例；在掺杂工艺中，以掺杂物注入该基板；与增加的掺杂物浓度成比例地来调控由该传感器所接收到的该光线；当该基板具有最终掺杂物浓度时，产生与由该传感器所接收到的该光线成比例的终点信号；以及停止该基板的掺杂物注入。

公开(公告)号：CN101558183B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200780044234.4

申请日：2007-12-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李实健 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  比亚吉欧·加洛 ,  李东亨 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明揭示一种用以通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一基板内的方法。在一实施例中，通过等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到基板内的方法包括：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。在另一实施例中，该方法包括：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含氢还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。