公开(公告)号：CN101939821B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200980104237.1

申请日：2009-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李实健 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  塙广二 ,  塞奥-米·乔 ,  比亚吉欧·加洛 ,  崔东元 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/32412 ,  C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01L21/2236

Abstract: 通过在晶片引入之前，首先在内部腔室表面上沉积部分导电的含硅处理层，来执行等离子体浸没式离子注入，该等离子体浸没式离子注入利用静电夹盘上的非常高的射频偏置电压，以达到需要的注入深度剖面。

公开(公告)号：CN102522324B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201110424053.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李实健 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  比亚吉欧·加洛 ,  李东亨 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明揭示一种对基板进行共形掺杂的方法，所述基板具有沟道，所述沟道具有侧壁和底部部分，所述方法包括：将所述基板放置在等离子体腔室内；向所述腔室提供掺杂剂源和蚀刻剂；在所述腔室中形成电感耦合等离子体；给所述基板施加偏压；以及在掺杂剂注入所述侧壁和所述底部部分时，通过调整掺杂剂源和蚀刻剂进入所述腔室的流速的比率，来对掺杂剂注入所述侧壁和所述底部进行控制。

公开(公告)号：CN102522324A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110424053.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李实健 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  比亚吉欧·加洛 ,  李东亨 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明揭示一种对基板进行共形掺杂的方法，所述基板具有沟道，所述沟道具有侧壁和底部部分，所述方法包括：将所述基板放置在等离子体腔室内；向所述腔室提供掺杂剂源和蚀刻剂；在所述腔室中形成电感耦合等离子体；给所述基板施加偏压；以及在掺杂剂注入所述侧壁和所述底部部分时，通过调整掺杂剂源和蚀刻剂进入所述腔室的流速的比率，来对掺杂剂注入所述侧壁和所述底部进行控制。

公开(公告)号：CN101558183B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200780044234.4

申请日：2007-12-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李实健 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  比亚吉欧·加洛 ,  李东亨 ,  马耶德·A·福阿德

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明揭示一种用以通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一基板内的方法。在一实施例中，通过等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到基板内的方法包括：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。在另一实施例中，该方法包括：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含氢还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。