公开(公告)号：CN106898600A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610926034.2

申请日：2016-10-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 堀元人 ,  池田良成 ,  仲村秀世 ,  望月英司 ,  西泽龙男

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/52

CPC classification number: H05K5/0256 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H05K5/0021 ,  H05K5/0204 ,  H05K5/0247 ,  H05K7/1432 ,  H01L25/072 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明能够容易地将多个半导体模块彼此加以连接。半导体模块(100)具备：具有螺母收容部(131～133)的封装树脂(130)和配置于螺母收容部(131～133)中的螺母(143)，其中，主端子(125～127)从封装树脂(130)突出，绝缘电路板、半导体元件以及配线电路板被封装在封装树脂(130)中。进而，上述半导体模块(100)具有汇流条端子(140)，该汇流条端子140与从封装树脂130突出的主端子125～127电连接，并具有与螺母143相对的插入孔142。由此，仅通过利用连接汇流条将半导体模块(100)的汇流条端子(140)加以连接，便可容易地将两个半导体模块(100)进行连接。

公开(公告)号：CN103930990B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280055469.4

申请日：2012-12-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 西泽龙男 ,  多田慎司 ,  木下庆人 ,  池田良成 ,  望月英司

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能以较好的生产性来制造使植入基板与半导体搭载基板的半导体元件经由植入引脚相接合并电连接的半导体装置。在该半导体装置中，经由压入植入引脚半导体搭载基板的半导体元件(8)及/或电路图案(5)相接合。并且，植入引脚(20)的压入筒状端子(10)的压入深度L2可以调整。由此，使得处于被压入筒状端子(10)的状态的植入引脚(20)与筒状端子(10)的总长度与半导体搭载基板上的半导体元件(8)及/或电路图案(5)和植入基板(30)之间的距离相匹配。(20)的另一端的筒状端子(10)，植入引脚(20)与

公开(公告)号：CN104103611A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410136723.4

申请日：2014-04-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下庆人 ,  望月英司 ,  西泽龙男 ,  多田慎司

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/603 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开一种加压加热接合结构及加压加热接合方法。所述的一种加压加热接合结构，将使用金属微粒作为接合材料而将两个部件加压加热接合，其中，将线膨胀系数不同的第一部件（14）与第二部件（4A）配置成使产生于该第一部件与第二部件之间的热应力作为加压力作用于两个部件的接合面（F2），并在将所述金属微粒设置在所述接合面之间的状态下升温而将所述第一部件与所述第二部件加压加热接合。根据本发明，即使在与加压方向正交的接合面上也能有效地进行加压加热接合。

公开(公告)号：CN101339933B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200810096579.0

申请日：2008-05-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 堀尾真史 ,  池田良成 ,  望月英司

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/142 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(1)中，在绝缘板(10a)的下面接合金属箔(10b)，在绝缘板(10a)的上面接合至少一个金属箔(10c、10d)，在金属箔(10c、10d)上通过焊接层(11a、11b)接合厚度大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件(20，21)。另外，当通过焊接层(11a、11b)在金属箔(10c、10d)接合半导体元件(20、21)时，进行焊接以抑制位置偏离。由此，即使长时间使用，也能够实现可靠性优越的半导体装置和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101261966B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200810082053.7

申请日：2008-03-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉原克彦 ,  丸山力宏 ,  茅野政秋 ,  望月英司 ,  横山元圣 ,  西泽龙男 ,  杉山智宣

IPC: H01L23/045 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有经过改良的封装件的组装结构。在由散热用金属基座、绝缘电路基板、半导体芯片构成的基板组装体上组合有外围树脂壳体，排列于该外围树脂壳体的周围壁上的外部端子的L形腿部引出到壳体的内侧，在该腿部与绝缘电路基板的导体图形之间连接有接合导线，在具有以上结构的半导体装置中，在外围树脂壳体上，在其周围壁部预先穿孔形成有多个端子安装孔，在该端子安装孔中后安装必要的外部端子。在此，上述端子安装孔以能够对应所有机型、规格不同的端子排列的方式设计形成，在封装件的组装时，向根据指定的规格而选择的端子安装孔中压入安装必要的外部端子。

公开(公告)号：CN1266753C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN03107634.3

申请日：2003-03-20

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 两角朗 ,  宫坂忠志 ,  山田克己 ,  望月英司

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/206 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0058 ,  H05K3/341 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 为了获得在软焊连接层中无空隙的半导体器件，在短时间内实施软焊过程而焊接一层叠物，提供一种制造半导体器件的方法。其中，该层叠物包括一金属底板，一软焊料片，一绝缘体基底，一软焊料片，和一硅芯片。将该层叠物放置在一减压炉内，在炉内抽真空之后，炉内达到正压下的氢气气氛，以还原层叠物各个部件的表面，在加热和熔化软焊料之后，炉内达到真空气氛，以除去软焊料中的空隙，且炉内达到正压下的氢气气氛，以阻止隧道形孔通过空隙的流动形成在软焊料中，由此，获得一均匀的软焊角焊缝形。此后，快速冷却层叠物使软焊料结构变得更细密，由此，提高用作焊接绝缘体基底和金属底板的软焊料的蠕变速率，以快速将金属底板的翘曲恢复到原始的状态。

公开(公告)号：CN104218032B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201410232963.4

申请日：2014-05-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 多田慎司 ,  望月英司 ,  仲村秀世 ,  堀尾真史

IPC: H01L25/07 ,  H01R4/02

CPC classification number: H05K1/117 ,  H01L24/01 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/0263 ,  H05K1/181 ,  H05K3/328 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2201/10272 ,  H05K2201/10303 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，通过由具有功率半导体芯片等的多个半导体模块构成的半导体装置，从而作为半导体装置整体能够实现容许电流的大容量化，并且，通过在该半导体装置中以最优的方式进行接合来实施多个半导体模块的端子之间的连接。所述半导体装置包括：半导体模块10，外部连接端子从外壳突出；总线3A、3B、3C，将并列排列的多个所述半导体模块10的特定的外部连接端子16、17、18连结而进行电连接；以及半导体模块用外壳2，覆盖并固定通过所述总线3A、3B、3C而连结的多个所述半导体模块10，其中，总线3A、3B、3C和半导体模块的外部连接端子16、17、18通过激光焊接而接合。

公开(公告)号：CN103370788B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201280008906.7

申请日：2012-03-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 望月英司 ,  传田俊男 ,  山田忠则

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49537 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置通过一次回流焊接在绝缘电路基板上同时焊接半导体芯片和引线框架，并且无需改变向外部引出的引线框架的位置。在绝缘电路基板上搭载功率半导体芯片和控制IC（S15），在此位置配置引线框架（S16），然后通过一次回流焊接在绝缘电路基板上同时焊接半导体芯片和引线框架（S17）。并且，对引线框架进行一次弯曲加工（S20），在绝缘电路基板安装在端子盒上（S21）之后，对引线框架进行二次弯曲加工（S22）。

公开(公告)号：CN101254561B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810082231.6

申请日：2008-02-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大西一永 ,  西村芳孝 ,  西泽龙男 ,  望月英司

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  H01L21/50

CPC classification number: H05K3/3452 ,  B23K1/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/341 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/107 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种钎焊接合方法及使用该方法的半导体装置的制作方法，在第一部件的钎焊接合预定区域的外周部的至少一部分上，照射激光形成氧化膜，通过软钎料使第二部件与所述钎焊接合预定区域接合。即使进行除去软钎料中包含的焊剂残渣的药品清洗，软钎料抗蚀剂也不剥离。

公开(公告)号：CN101609826B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910140303.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 井川修 ,  望月英司 ,  早乙女全纪 ,  有川典男

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够高效率制造的功率半导体模块及其制造方法。在功率半导体模块(1)中，引线框(9)同时具有内部端子(30)和外部端子(6)，其多个外部端子(6)同时被软焊在半导体芯片(8)上。因此，没有必要如引线接合那样逐根进行连接，从而能够高效率得到功率半导体模块。此外，因为不是用引线接合来进行连接，所以可以确保足够的电流容量。此外，在功率半导体模块(1)的制造过程中，不进行引线接合，而是通过回流焊接同时在同一工序中进行绝缘电路基板(7)和半导体芯片(8)、以及半导体芯片(8)和引线框(9)的接合。因此，能够使其安装时间缩短到非常短，从而能够高效率地制造功率半导体模块。