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公开(公告)号：CN103370788B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280008906.7
申请日：2012-03-30
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/50 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L25/072 , H01L25/165 , H01L2224/4903 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置通过一次回流焊接在绝缘电路基板上同时焊接半导体芯片和引线框架，并且无需改变向外部引出的引线框架的位置。在绝缘电路基板上搭载功率半导体芯片和控制IC（S15），在此位置配置引线框架（S16），然后通过一次回流焊接在绝缘电路基板上同时焊接半导体芯片和引线框架（S17）。并且，对引线框架进行一次弯曲加工（S20），在绝缘电路基板安装在端子盒上（S21）之后，对引线框架进行二次弯曲加工（S22）。
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公开(公告)号：CN106252294B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201610301482.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 山田忠则
IPC: H01L23/10
Abstract: 本发明能对半导体装置进行薄型化。半导体装置(1)包括收纳在树脂壳体(10)的收纳开口部(12)中的绝缘基板(20)，该绝缘基板(20)包括绝缘板(21)、形成在绝缘基板(21)的上表面上的第一金属层(22)、形成在该上表面的外周缘部并且与阶梯部(13)抵接的第二金属层(23)、形成在绝缘板(21)的下表面上并且与树脂壳体(10)的下表面对齐为同一平面或从树脂壳体(10)的下表面突出的第三金属层(24)。第二金属层(23)如上所述，通过对形成在陶瓷基板(21)上的铜箔进行蚀刻，形成相同厚度的第一金属层(22)和第二金属层(23)。由此形成的第二金属层(23)能配合树脂壳体(10)的收纳深度，比较自由地改变其厚度。因此，能对半导体装置(1)进行薄型化。
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公开(公告)号：CN106252294A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610301482.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 山田忠则
IPC: H01L23/10
Abstract: 本发明能对半导体装置进行薄型化。半导体装置(1)包括收纳在树脂壳体(10)的收纳开口部缘板(21)、形成在绝缘基板(21)的上表面上的第一金属层(22)、形成在该上表面的外周缘部并且与阶梯部(13)抵接的第二金属层(23)、形成在绝缘板(21)的下表面上并且与树脂壳体(10)的下表面对齐为同一平面或从树脂壳体(10)的下表面突出的第三金属层(24)。第二金属层(23)如上所述，通过对形成在陶瓷基板(21)上的铜箔进行蚀刻，形成相同厚度的第一金属层(22)和第二金属层(23)。由此形成的第二金属层(23)能配合树脂壳体(10)的收纳深度，比较自由地改变其厚度。因此，能对半导体装置(1)进行薄型化。(12)中的绝缘基板(20)，该绝缘基板(20)包括绝
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公开(公告)号：CN109564259B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201880003031.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。
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公开(公告)号：CN109564259A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201880003031.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104641466B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201380048132.5
申请日：2013-07-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/50
CPC classification number: H01L23/057 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/50 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/45 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了一种能够小型化的半导体装置。所述半导体装置包括：框架主体(3)，在中间部具有开口区域(2)；绝缘基板(4)，配置在该框架主体的开口区域并搭载有半导体芯片(8)、(9)；引线部，具有倾斜部(5a)至(5e)，倾斜部的至少一部分暴露于形成在所述框架主体的所述开口区域且相对于形成所述开口区域的端面倾斜延长；键合线(10)，通过超声波接合在所述引线部和所述半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN106449614B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201610505501.4
申请日：2016-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体装置，能抑制由迁移带来的影响，并使可靠性提高。半导体装置(1)具有：对半导体元件(20、21)进行收纳的树脂壳体(30)；设有间隙地设于树脂壳体(30)的底面的主表面的多个引线框(31)；以及沿着相邻的引线框(31)配置于该相邻的引线框(31)之间的间隙的块部(35)。半导体装置(1)通过配置块部(35)，与不配置块部(35)，使引线框(31)间平坦的情况相比，能增长爬电距离。因而，即便因迁移而使构成引线框(31)等的金属原子在绝缘物上方及界面移动，也不易在引线框(31)之间形成导通通路，夹着块部(35)相邻的引线框(31)不容易发生短路。其结果是，能提高半导体装置(1)的可靠性。
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公开(公告)号：CN109729751B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201880003019.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段；以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
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公开(公告)号：CN109729751A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201880003019.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01R29/0814 , G01R29/00 , G01R29/08 , G01R29/0871 , G01R29/26 , H02M1/00 , H02M7/217 , H02M7/537
Abstract: 本发明提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段；以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
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公开(公告)号：CN107181420A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710068841.X
申请日：2017-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 山田忠则
IPC: H02M7/5387 , H02M7/5395
Abstract: 本发明提供一种可以抑制设置于逆变器的输出级而控制输出到负载的电流的半导体开关元件在正常工作时的损耗，并且可以在异常状态下防止所述半导体开关元件的过电压破坏的逆变器驱动装置。其具备：主驱动电路，其向半导体开关元件(例如IGBT)施加驱动电压而对该半导体开关元件进行导通关断驱动；钳位用二极管，其在该主驱动电路的工作停止时对施加于所述半导体开关元件的反电动势进行电压钳位；分压电阻，其对与通过该钳位用二极管而流出的电流成比例的电压进行电阻分压而供于检测。进而具备辅助驱动电路，其根据通过分压电阻得到的检测电压生成控制电压，并将该控制电压施加到所述半导体开关元件，从而使所述半导体开关元件导通。
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