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公开(公告)号:CN106449614A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610505501.4
申请日:2016-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/04 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49861 , H01L25/072 , H01L23/5386
Abstract: 一种半导体装置,能抑制由迁移带来的影响,并使可靠性提高。半导体装置(1)具有:对半导体元件(20、21)进行收纳的树脂壳体(30);设有间隙地设于树脂壳体(30)的底面的主表面的多个引线框(31);以及沿着相邻的引线框(31)配置于该相邻的引线框(31)之间的间隙的块部置块部(35),使引线框(31)间平坦的情况相比,能增长爬电距离。因而,即便因迁移而使构成引线框(31)等的金属原子在绝缘物上方及界面移动,也不易在引线框(31)之间形成导通通路,夹着块部(35)相邻的引线框(31)不容易发生短路。其结果是,能提高半导体装置(1)的可靠性。(35)。半导体装置(1)通过配置块部(35),与不配
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公开(公告)号:CN115706021A
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202210767152.9
申请日:2022-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/433 , H01L23/28
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法,能够抑制由填充的密封部件引起的引线的变形。所述制造方法包括:成型工序,在俯视时,在注入口(84a~84f)与控制引线(22c、22b)之间且在将注入口(84a~84f)与控制引线(22c、22b)连结的线上配置控制销(87),将成型树脂原料从注入口(84a~84f)注入到型腔(83)内,利用成型树脂原料填充型腔(83)内,将配置于主电流引线框及控制引线框的半导体芯片及控制元件密封。由此,能够降低成型树脂原料相对于控制引线(22c、22b)的流速。
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公开(公告)号:CN113394119A
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN202110103241.9
申请日:2021-01-26
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 田中才工
Abstract: 本发明提供削减制造成本并进行特性改善的半导体装置的制造方法以及半导体装置。在主电流引线框架(41a)的晶片焊盘部(41a1)的正面配置第一、第二半导体芯片(21a、21b),进行布线。接着,以使主电流引线框架(41a)的端子部(41a3)突出,露出晶片焊盘部(41a1)的背面的方式,利用半固化状态的密封原料密封主电流引线框架(41a)和第一、第二半导体芯片(21a、21b)而形成半固化单元。并且,将绝缘片(70)的正面与半固化单元的背面压接,覆盖主电流引线框架(41a)的晶片焊盘部(41a1)的背面。在这样的制造方法中绝缘片(70)不会翘起,并且无论成形模具的规格如何都能够安装绝缘片(70)。
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公开(公告)号:CN105190876B
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201480011892.3
申请日:2014-05-14
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/4822 , H01L21/4825 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/4952 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/014 , H01L2924/0001 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种能够进行牢固的引线键合、量产性优异、小型且低成本的半导体装置及其制造方法。通过利用粘接树脂(8)来牢固地固定端子(15)的突出部(15e)的背面(15b)与框体(7)的内壁(7d),从而可利用引线(13)来对端子(15)与半导体芯片(11)进行牢固的引线键合,进而能够提供量产性优异且低成本的半导体装置及其制造方法。
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公开(公告)号:CN112447691A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010596841.9
申请日:2020-06-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/607
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法,降低制造成本而进行特性改善。半导体装置具备主端子,其一端部分别接合于元件区内的电路图案,另一端部从金属基底基板的一个侧部向金属基底基板的外侧延伸。而且,半导体装置具备:控制端子,其配置于控制区域且包含控制布线部,控制区域邻接于金属基底基板的与接合有主端子的一个侧部对置的另一个侧部;密封部件,其密封金属基底基板的主面和控制区域。这样的半导体装置在配置有第一、第二半导体元件的电路图案直接接合有主端子。因此,与利用键合引线将它们之间接合的情况相比,能够降低电阻。
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公开(公告)号:CN105190876A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201480011892.3
申请日:2014-05-14
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/4822 , H01L21/4825 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/4952 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/014 , H01L2924/0001 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种能够进行牢固的引线键合、量产性优异、小型且低成本的半导体装置及其制造方法。通过利用粘接树脂(8)来牢固地固定端子(15)的突出部(15e)的背面(15b)与框体(7)的内壁(7d),从而可利用引线(13)来对端子(15)与半导体芯片(11)进行牢固的引线键合,进而能够提供量产性优异且低成本的半导体装置及其制造方法。
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公开(公告)号:CN119905474A
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202411190701.6
申请日:2024-08-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/16
Abstract: 在半导体装置中,提高控制引线框的位置精度。半导体装置具备:半导体芯片;主电流引线框,其具有配置有该半导体芯片的主芯片焊盘;控制元件,其经由第1控制布线与半导体芯片连接;以及控制引线框,其具有配置有该控制元件的控制芯片焊盘。该控制引线框具有:第1框架,其具有控制芯片焊盘;以及第2框架,其经由第2控制布线与控制元件连接。第1框架还具有弯曲部分,该弯曲部分以控制芯片焊盘在半导体芯片的厚度方向(Z方向)上位于比第2框架靠下方的位置的方式弯曲。
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公开(公告)号:CN106449614B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201610505501.4
申请日:2016-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体装置,能抑制由迁移带来的影响,并使可靠性提高。半导体装置(1)具有:对半导体元件(20、21)进行收纳的树脂壳体(30);设有间隙地设于树脂壳体(30)的底面的主表面的多个引线框(31);以及沿着相邻的引线框(31)配置于该相邻的引线框(31)之间的间隙的块部(35)。半导体装置(1)通过配置块部(35),与不配置块部(35),使引线框(31)间平坦的情况相比,能增长爬电距离。因而,即便因迁移而使构成引线框(31)等的金属原子在绝缘物上方及界面移动,也不易在引线框(31)之间形成导通通路,夹着块部(35)相邻的引线框(31)不容易发生短路。其结果是,能提高半导体装置(1)的可靠性。
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