- 专利标题： 评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置
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申请号： CN201880003031.9申请日： 2018-02-08
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公开(公告)号： CN109564259A公开(公告)日： 2019-04-02
- 发明人: 胜又洋树 , 玉手道雄 , 藤田美和子 , 浅野达见子 , 铃木佑平 , 皆见崇之 , 砂坂祐太 , 山田忠则 , 荒木龙 , 邱宝璁
- 申请人： 富士电机株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 殷明; 俞丹
- 优先权： 2017-034168 2017.02.24 JP
- 国际申请： PCT/JP2018/004486 2018.02.08
- 国际公布： WO2018/155216 JA 2018.08.30
- 进入国家日期： 2019-01-31
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26 ; G01R29/08
摘要：
本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。
公开/授权文献
- CN109564259B 评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置 公开/授权日：2023-01-06
