公开(公告)号：CN103339723A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180066475.5

申请日：2011-09-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 上里良宪 ,  早乙女全纪 ,  丸山力宏 ,  后藤友彰

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L21/4882 ,  B23P15/26 ,  F28F3/00 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4878 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  Y10T29/49366 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在散热板（3）上焊接形状不同的绝缘基板（1，2）的情况下，在散热板（3）上预先形成在绝缘基板（1，2）一侧呈凹状的第三弯曲（11）。通过将在平坦的散热板（3）上焊接形状不同的绝缘基板（1，2）后的凸状弯曲上下翻转而得到的凹状的第一弯曲（6）和在散热板（3）实际焊接形状不同的绝缘基板（1，2）后所假想的凹状的第二弯曲（7）相加，来确定该第三弯曲（11）。该第三弯曲（11）的底部（11a）位于较大绝缘基板（2）的下方，使得该底部（11a）与散热板（3）的基准点（5a，5b）之间的距离较大一侧的曲率小于距离较小一侧的曲率。

公开(公告)号：CN106997874A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201611093776.8

申请日：2016-12-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐野真二 ,  小平悦宏 ,  早乙女全纪 ,  大西一永

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4875 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29561 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83395 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0105 ,  H01L23/488 ,  H01L21/4814 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/80355

Abstract: 本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。

公开(公告)号：CN103339723B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180066475.5

申请日：2011-09-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 上里良宪 ,  早乙女全纪 ,  丸山力宏 ,  后藤友彰

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L21/4882 ,  B23P15/26 ,  F28F3/00 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4878 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  Y10T29/49366 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在散热板（3）上焊接形状不同的绝缘基板（1，2）的情况下，在散热板（3）上预先形成在绝缘基板（1，2）一侧呈凹状的第三弯曲（11）。通过将在平坦的散热板（3）上焊接形状不同的绝缘基板（1，2）后的凸状弯曲上下翻转而得到的凹状的第一弯曲（6）和在散热板（3）实际焊接形状不同的绝缘基板（1，2）后所假想的凹状的第二弯曲（7）相加，来确定该第三弯曲（11）。该第三弯曲（11）的底部（11a）位于较大绝缘基板（2）的下方，使得该底部（11a）与散热板（3）的基准点（5a，5b）之间的距离较大一侧的曲率小于距离较小一侧的曲率。

公开(公告)号：CN106997874B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201611093776.8

申请日：2016-12-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐野真二 ,  小平悦宏 ,  早乙女全纪 ,  大西一永

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。

公开(公告)号：CN111052510A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201980004079.6

申请日：2019-02-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 丸山力宏 ,  宫越仁隆 ,  早乙女全纪 ,  安达和哉 ,  横山岳

IPC: H01R4/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 能够防止接合构件在接触部件的中空孔中爬升。半导体装置(10)具有层叠基板(14)和接触部件(17)，层叠基板(14)具备电路板(13a)和形成有电路板(13a)的绝缘板(11)，接触部件(17)在内部形成有筒状的中空孔(17f)且其开口端部(17f2)介由接合构件(19)而与电路板(13a)的正面的接合区(A2)接合。而且，在这样的半导体装置(10)中，接触部件(17)的与接合构件(19)的接触区(A1)的对接合构件(19)的润湿性与电路板(13a)的至少接合区(A2)的对接合构件(19)的润湿性大致相等。因此，能够抑制因将接触部件(17)与电路板(13a)接合时的加热导致的接合构件(19)在接触部件(17)的中空孔(17f)中的爬升。

公开(公告)号：CN1907635B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200610108507.4

申请日：2006-08-03

Applicant: 富士电机株式会社 ,  浅见真

Inventor： 莳田一之 ,  一瀬正树 ,  渡岛豪人 ,  早乙女全纪 ,  山下满男 ,  浅黄刚 ,  平井雅敏 ,  村田透

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02

CPC classification number: B23K35/262 ,  Y10T428/31678

Abstract: 根据本发明的实施例，提供了一种包括合金的碾压为薄片形状的无铅焊料。该合金包括；锡；从10wt％至不足25wt％的银；以及从3wt％至5wt％的铜。该合金是无铅的。

公开(公告)号：CN111052510B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980004079.6

申请日：2019-02-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 丸山力宏 ,  宫越仁隆 ,  早乙女全纪 ,  安达和哉 ,  横山岳

IPC: H01R4/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 能够防止接合构件在接触部件的中空孔中爬升。半导体装置(10)具有层叠基板(14)和接触部件(17)，层叠基板(14)具备电路板(13a)和形成有电路板(13a)的绝缘板(11)，接触部件(17)在内部形成有筒状的中空孔(17f)且其开口端部(17f2)介由接合构件(19)而与电路板(13a)的正面的接合区(A2)接合。而且，在这样的半导体装置(10)中，接触部件(17)的与接合构件(19)的接触区(A1)的对接合构件(19)的润湿性与电路板(13a)的至少接合区(A2)的对接合构件(19)的润湿性大致相等。因此，能够抑制因将接触部件(17)与电路板(13a)接合时的加热导致的接合构件(19)在接触部件(17)的中空孔(17f)中的爬升。

公开(公告)号：CN101609826B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200910140303.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 井川修 ,  望月英司 ,  早乙女全纪 ,  有川典男

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够高效率制造的功率半导体模块及其制造方法。在功率半导体模块(1)中，引线框(9)同时具有内部端子(30)和外部端子(6)，其多个外部端子(6)同时被软焊在半导体芯片(8)上。因此，没有必要如引线接合那样逐根进行连接，从而能够高效率得到功率半导体模块。此外，因为不是用引线接合来进行连接，所以可以确保足够的电流容量。此外，在功率半导体模块(1)的制造过程中，不进行引线接合，而是通过回流焊接同时在同一工序中进行绝缘电路基板(7)和半导体芯片(8)、以及半导体芯片(8)和引线框(9)的接合。因此，能够使其安装时间缩短到非常短，从而能够高效率地制造功率半导体模块。