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公开(公告)号：CN111052353A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201980004101.7
申请日：2019-01-28
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 上里良宪
Abstract: 能够抑制热应力的产生以及品质的降低。半导体装置(10)在侧剖视时，导电图案(15a)的第一端面(15a1)的位置位于凹部(16a)的最外端部(16a1)的位置与凹部(16b)的最内端部(16b2)的位置之间。因此，即使在陶瓷电路基板(13)产生与半导体装置(10)中的温度变化对应的热应力，也可以通过多个凹部(16a、16b)缓和因温度变化导致的针对陶瓷电路基板(13)的变形。因此，能够防止陶瓷电路基板(13)的破裂、金属板(16)以及导电图案(15a)的剥落。
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公开(公告)号：CN112352310B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980043056.6
申请日：2019-11-28
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种能够维持半导体元件的配置面积并且缓和在基板产生的应力的半导体装置。半导体装置(1)在侧视时，导电图案(3b)的第一端面(3b1)形成为比金属板(3c)的第二端面(3c1)在陶瓷电路基板(3)的主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧偏移第一距离(d1)。另外，半导体元件(2)的第三端面(2a1)形成为比第二端面(3c1)在陶瓷电路基板(3)主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧偏移第二距离(d2)。而且，凹坑(3c2)形成在与第一端面(3b1)在陶瓷电路基板(3)的主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧分离的预定范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103339723A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180066475.5
申请日：2011-09-02
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L21/4882 , B23P15/26 , F28F3/00 , H01L21/4803 , H01L21/4878 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/562 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , Y10T29/49366 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在散热板（3）上焊接形状不同的绝缘基板（1，2）的情况下，在散热板（3）上预先形成在绝缘基板（1，2）一侧呈凹状的第三弯曲（11）。通过将在平坦的散热板（3）上焊接形状不同的绝缘基板（1，2）后的凸状弯曲上下翻转而得到的凹状的第一弯曲（6）和在散热板（3）实际焊接形状不同的绝缘基板（1，2）后所假想的凹状的第二弯曲（7）相加，来确定该第三弯曲（11）。该第三弯曲（11）的底部（11a）位于较大绝缘基板（2）的下方，使得该底部（11a）与散热板（3）的基准点（5a，5b）之间的距离较大一侧的曲率小于距离较小一侧的曲率。
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公开(公告)号：CN112352310A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043056.6
申请日：2019-11-28
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种能够维持半导体元件的配置面积并且缓和在基板产生的应力的半导体装置。半导体装置(1)在侧视时，导电图案(3b)的第一端面(3b1)形成为比金属板(3c)的第二端面(3c1)在陶瓷电路基板(3)的主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧偏移第一距离(d1)。另外，半导体元件(2)的第三端面(2a1)形成为比第二端面(3c1)在陶瓷电路基板(3)主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧偏移第二距离(d2)。而且，凹坑(3c2)形成在与第一端面(3b1)在陶瓷电路基板(3)的主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧分离的预定范围内。
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公开(公告)号：CN103339723B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180066475.5
申请日：2011-09-02
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L21/4882 , B23P15/26 , F28F3/00 , H01L21/4803 , H01L21/4878 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/562 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , Y10T29/49366 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在散热板（3）上焊接形状不同的绝缘基板（1，2）的情况下，在散热板（3）上预先形成在绝缘基板（1，2）一侧呈凹状的第三弯曲（11）。通过将在平坦的散热板（3）上焊接形状不同的绝缘基板（1，2）后的凸状弯曲上下翻转而得到的凹状的第一弯曲（6）和在散热板（3）实际焊接形状不同的绝缘基板（1，2）后所假想的凹状的第二弯曲（7）相加，来确定该第三弯曲（11）。该第三弯曲（11）的底部（11a）位于较大绝缘基板（2）的下方，使得该底部（11a）与散热板（3）的基准点（5a，5b）之间的距离较大一侧的曲率小于距离较小一侧的曲率。
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公开(公告)号：CN111052353B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201980004101.7
申请日：2019-01-28
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 上里良宪
Abstract: 能够抑制热应力的产生以及品质的降低。半导体装置(10)在侧剖视时，导电图案(15a)的第一端面(15a1)的位置位于凹部(16a)的最外端部(16a1)的位置与凹部(16b)的最内端部(16b2)的位置之间。因此，即使在陶瓷电路基板(13)产生与半导体装置(10)中的温度变化对应的热应力，也可以通过多个凹部(16a、16b)缓和因温度变化导致的针对陶瓷电路基板(13)的变形。因此，能够防止陶瓷电路基板(13)的破裂、金属板(16)以及导电图案(15a)的剥落。
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公开(公告)号：CN108962834A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810256401.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 上里良宪
IPC: H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供能维持散热性且防止绝缘基板的裂纹的半导体模块、半导体模块的底板及半导体装置的制造方法。底板(13)具有向背面侧以预定曲率弯曲成凸状的部分(背面凸状弯曲部)(13a)，在背面凸状弯曲部(13a)的顶点(13b)与冷却片(17)的表面接触的状态下固定于冷却片(17)的表面。在底板(13)的正面在与各背面凸状弯曲部(13a)对置的部分分别接合层叠基板(12)。在底板(13)的比焊料层(25)的端部靠外周侧的部分(18)在底板(13)的背面设置间隔件(15)。间隔件(15)具有在用于将底板(13)固定于冷却片(17)的螺纹紧固时夹入底板(13)与冷却片(17)之间抑制底板(13)变形的功能。
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