-
公开(公告)号：CN109860020A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811313609.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种清洁半导体装置的方法，特别公开了用于清洁半导体装置表面的清洁溶液，以及使用与形成清洁溶液的方法。在一实施例中，自半导体装置的第一表面研磨移除材料；以及以清洁溶液清洁第一表面。清洁溶液可包括主体，且主体具有至少一环。主体可具有亲水外部与疏水内部。
-
公开(公告)号：CN109585361A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810721468.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件和形成方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方形成介电层并且图案化介电层以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽中沉积第一层并且在第一层上方沉积第二层，第二层不同于第一层。该方法还包括使用第一氧化剂对第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺并且使用第一氧化剂对第二层和第一层的多余部分实施第二CMP工艺。该方法还包括在实施第二CMP抛光之后在第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。
-
公开(公告)号：CN104752338B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201410843919.7
申请日：2014-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层。处理之后，可以图案化介电层以生成随后用导电材料填充的开口。例如，可以使用化学机械抛光去除过量的导电材料。本发明涉及用于半导体器件的互连结构。
-
公开(公告)号：CN103367316B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210487708.5
申请日：2012-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/7684 , H01L22/30 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。
-
公开(公告)号：CN104733287A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410794995.3
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28123 , B24B37/20 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/67051 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100341665C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410007810.6
申请日：2004-03-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , H01L21/302
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/042 , B24B49/16
Abstract: 本发明提供一种应用于化学机械研磨装置之中的预热装置。化学机械研磨装置至少包含转盘和研磨垫，而转盘的上表面紧密地结合此研磨垫。本发明所揭露的预热装置至少包含一摩擦组件，此摩擦组件通过悬吊组件而置于该研磨垫的上方。当摩擦组件与研磨垫摩擦生热时，使得研磨垫的表面温度到达一预定温度。
-
公开(公告)号：CN116922262A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310655687.1
申请日：2023-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了用于化学机械抛光的抛光垫及其形成方法。在一个实施例中，一种抛光垫包括：抛光垫衬底；位于抛光垫衬底上的第一突起，第一突起包括中央区域和围绕中央区域的外周区域，并且中央区域的第一硬度大于外周区域的第二硬度；以及与第一突起的第一侧相邻的第一凹槽。
-
公开(公告)号：CN110223908B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910309885.6
申请日：2014-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L21/336 , B24B37/20
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括形成为填充两个相邻的层间电介质(ILD)区之间的沟槽的金属栅极(MG)层；使用CMP系统实施化学机械抛光(CMP)工艺以平坦化MG层和ILD区；以及使用包括溶解在去离子水(DIW)中的臭氧气体(O3)的O3/DIW溶液清洗平坦化的MG层。MG层形成在ILD区上。本发明涉及用于化学机械抛光和清洗的系统和方法。
-
公开(公告)号：CN110957298A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910909554.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。本公开描述了保护金属互连结构免受用于在金属互连结构上方形成其它金属结构的随后化学机械抛光工艺损坏的技术。使金属互连结构凹陷以在金属互连结构和周围介电层之间形成凹槽。在凹槽内形成金属覆盖结构。使介电层的上部变形以包括拉伸应力，该拉伸应力使介电层相对于金属覆盖结构扩展，以减小或消除金属覆盖结构与介电层之间的界面中的间隙。
-
公开(公告)号：CN110938408A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910882243.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例描述一种金属表面化学机械研磨技术。在金属化学机械研磨浆料中包含一种络合剂或胶束。在化学机械研磨浆料中包含与氧化剂键结的络合剂，以在组合体的核心形成与氧化剂分子的络合物，例如超分子组合体，且前述氧化剂分子被络合剂分子包围。形成的络合物具有增大的尺寸。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.028 seconds)
