公开(公告)号：CN108987300B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201711269562.6

申请日：2017-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李孟宪 ,  吕新贤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/768

Abstract: 使用清洁工艺来制造半导体器件。清洁工艺使用具有湿清洁部分和等离子体清洁部分的半导体制造工具。将半导体器件放置在湿清洁部分内的湿清洁室中，在其中实施湿清洁工艺。一旦完成，并且没有破坏氛围，从湿清洁部分去除半导体器件并且将其放置在等离子体清洁部分内的等离子体清洁室内。然后实施等离子体清洁。本发明的实施例还涉及半导体器件制造工具及其制造方法。

公开(公告)号：CN108987300A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711269562.6

申请日：2017-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李孟宪 ,  吕新贤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/67023 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0035 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

Abstract: 使用清洁工艺来制造半导体器件。清洁工艺使用具有湿清洁部分和等离子体清洁部分的半导体制造工具。将半导体器件放置在湿清洁部分内的湿清洁室中，在其中实施湿清洁工艺。一旦完成，并且没有破坏氛围，从湿清洁部分去除半导体器件并且将其放置在等离子体清洁部分内的等离子体清洁室内。然后实施等离子体清洁。本发明的实施例还涉及半导体器件制造工具及其制造方法。

公开(公告)号：CN1590024A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410007810.6

申请日：2004-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄佳哲 ,  邱文智 ,  吕新贤 ,  陈亮光

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/302

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/042 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明提供一种应用于化学机械研磨装置之中的预热装置。化学机械研磨装置至少包含转盘和研磨垫，而转盘的上表面紧密地结合此研磨垫。本发明所揭露的预热装置至少包含一摩擦组件，此摩擦组件通过悬吊组件而置于该研磨垫的上方。当摩擦组件与研磨垫摩擦生热时，使得研磨垫的表面温度到达一预定温度。

公开(公告)号：CN102646666A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110332241.2

申请日：2011-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴永旭 ,  吕新贤 ,  包天一 ,  眭晓林

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供实施金属化学-机械抛光(CMP)而不会带来镶嵌结构的铜和介电薄层的显著损失的机理。机理使用由带有致孔剂的低-k介电薄层制成的金属CMP停止层，其显著降低了金属CMP对金属CMP停止层的移除速率。固化(或固化)后金属CMP停止层转化成多孔低-k介电薄层从而移除或转化致孔剂。金属CMP停止层的低-k值(例如等于或小于约2.6)使得使用金属CMP停止层对RC延迟的影响从最小到无。另外，CMP停止层防止下面的多孔低-k介电薄层暴露在CMP研磨液中的水，有机化合物，和流动离子中。

公开(公告)号：CN1501453A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03102726.1

申请日：2003-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黎丽萍 ,  吕新贤 ,  章勋明

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/469 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76828 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 一种低介电常数层的制造方法，利用等离子体处理已形成的低介电常数层，之后再进行一道去除步骤。其中，此去除步骤借以去除低介电常数层表面形成的致密层。去除步骤可利用例如化学机械抛光法、氩气溅射法、氟化氢气体工艺、湿式蚀刻法或干式蚀刻法等。

公开(公告)号：CN102157365B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201010239947.X

申请日：2010-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 ,  吴文进 ,  吕新贤 ,  余佳霖 ,  史祝嵩 ,  许富崎 ,  眭晓林

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/02372

Abstract: 本发明揭示一种薄化晶片的方法。于一实施例中，提供一晶片，其具有多个半导体芯片。此晶片具有第一面和第二面，其中各个芯片包括一组穿硅导孔。各穿硅导孔实质上被衬垫层和阻障层封住。提供晶片承载体贴附于所述晶片的第二面。将晶片的第一面薄化至预定的厚度，接着形成凹入以部分地显露出衬垫层、阻障层和自晶片凸出的部分穿硅导孔。将隔离层沉积于晶片的第一面和衬垫层、阻障层、和穿硅导孔的顶部上。接着，沉积绝缘层于隔离层上。接着将绝缘层平坦化，露出穿硅导孔的顶部。将介电层沉积于晶片的第一面上。形成一或多个电性接触件于介电层中，供电性连接至一或多个穿硅导孔。本发明可避免铜或其他金属污染物从穿硅导孔暴露而扩散至基板。

公开(公告)号：CN102157365A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010239947.X

申请日：2010-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 ,  吴文进 ,  吕新贤 ,  余佳霖 ,  史祝嵩 ,  许富崎 ,  眭晓林

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/02372

Abstract: 本发明揭示一种薄化晶片的方法。于一实施例中，提供一晶片，其具有多个半导体芯片。此晶片具有第一面和第二面，其中各个芯片包括一组穿硅导孔。各穿硅导孔实质上被衬垫层和阻障层封住。提供晶片承载体贴附于所述晶片的第二面。将晶片的第一面薄化至预定的厚度，接着形成凹入以部分地显露出衬垫层、阻障层和自晶片凸出的部分穿硅导孔。将隔离层沉积于晶片的第一面和衬垫层、阻障层、和穿硅导孔的顶部上。接着，沉积绝缘层于隔离层上。接着将绝缘层平坦化，露出穿硅导孔的顶部。将介电层沉积于晶片的第一面上。形成一或多个电性接触件于介电层中，供电性连接至一或多个穿硅导孔。本发明可避免铜或其他金属污染物从穿硅导孔暴露而扩散至基板。

公开(公告)号：CN100341665C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410007810.6

申请日：2004-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄佳哲 ,  邱文智 ,  吕新贤 ,  陈亮光

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/302

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/042 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明提供一种应用于化学机械研磨装置之中的预热装置。化学机械研磨装置至少包含转盘和研磨垫，而转盘的上表面紧密地结合此研磨垫。本发明所揭露的预热装置至少包含一摩擦组件，此摩擦组件通过悬吊组件而置于该研磨垫的上方。当摩擦组件与研磨垫摩擦生热时，使得研磨垫的表面温度到达一预定温度。

公开(公告)号：CN1327494C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03102726.1

申请日：2003-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黎丽萍 ,  吕新贤 ,  章勋明

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/469 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76828 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 一种低介电常数层的制造方法，利用等离子体处理已形成的低介电常数层，之后再进行一道去除步骤。其中，此去除步骤借以去除低介电常数层表面形成的致密层。去除步骤可利用例如化学机械抛光法、氩气溅射法、氟化氢气体工艺、湿式蚀刻法或干式蚀刻法等。

公开(公告)号：CN2724922Y

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200420084860.X

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄佳哲 ,  邱文智 ,  吕新贤 ,  陈亮光

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/042 ,  B24B49/16

Abstract: 本实用新型是提供一种应用于化学机械研磨装置之中的预热装置。化学机械研磨装置是至少包含转盘和研磨垫，而转盘的上表面紧密地结合此研磨垫。本实用新型所揭露的预热装置至少包含一摩擦元件，此摩擦元件是借着悬吊元件而置于该研磨垫的上方。当摩擦元件与研磨垫摩擦生热时，使得研磨垫的表面温度到达一预定温度。