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公开(公告)号:CN110834011A
公开(公告)日:2020-02-25
申请号:CN201910738720.0
申请日:2019-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种用于清洁半导体设备的装置,其包含:第一支撑构件,其耦合至罩壳,且经构造以透过所述罩壳沿第一轴线移动及围绕所述第一轴线旋转;第二支撑构件,其耦合至所述第一支撑构件,且经构造以沿垂直于所述第一轴线的第二轴线移动;及臂,其可枢转地耦合至所述第二支撑构件,且经构造以围绕垂直于所述第一轴线及所述第二轴线的第三轴线旋转。所述装置还包含清洁头,其附接至所述臂,且经构造以围绕所述臂的纵轴线旋转。
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公开(公告)号:CN109309029A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201711296265.0
申请日:2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明实施例提供一种加工设备,加工设备包含加热器位于腔体中。加工设备也包含喷头位于加热器上方,喷头包含多个孔洞从喷头的顶表面延伸至喷头的底表面,喷头的底表面面对加热器,喷头的底表面具有第一区段和第二区段,底表面的第二区段比底表面的第一区段粗糙。
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公开(公告)号:CN107502938A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710435772.1
申请日:2017-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C25D11/24
CPC classification number: H01J37/32495 , C25D11/045 , C25D11/246 , H01J37/32467
Abstract: 本揭露涉及一种具有氧化铝层的铝制设备和其形成方法,在这种方法中,使用碱性溶液及酸性溶液中的至少一者来化学处理铝制体。对所述经化学处理的铝制体执行阳极氧化以形成氧化铝层。使用温度超过75℃的热水或水蒸汽来处理所述氧化铝层。经热水或水蒸汽处理之后的所述氧化铝层包含多个柱状晶粒,且所述柱状晶粒的平均宽度在从10nm到100nm的范围内。
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公开(公告)号:CN104779197A
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201410105822.6
申请日:2014-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中,用于半导体器件的金属化系统包括:主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积(PVD)模块,并且多个模块之一包括紫外光(UV)固化模块。
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