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公开(公告)号：CN111123419A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911021395.2
申请日：2019-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 邱俊傑 , 蒯光国 , 郑文豪
IPC: G02B5/08 , G03F7/20
Abstract: 本揭露的一实施例提供一种极紫外线反射结构。极紫外线反射结构包括一基板以及多对硅层体与钼层体。多对硅层体与钼层体设置于该基板之上，其中该硅层体包括多个孔洞。
