公开(公告)号：CN105374779B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201510482229.8

申请日：2015-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  李明机 ,  郭庭豪 ,  陈承先 ,  陈玉芬 ,  吴胜郁

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1705 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了半导体封装件，包括半导体管芯和衬底，衬底具有电耦接至半导体管芯的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面包括具有多个置放焊盘的核心区域以及围绕核心区域并且具有多条置放迹线的外围区域。置放焊盘的间距为约55μm至约280μm。半导体管芯包括面向衬底的第一表面的第三表面和与第三表面相对的第四表面。第三表面包括对应于衬底的置放焊盘和置放迹线而设置的多个细长凸块，并且细长凸块包括在其截面上的长轴和与长轴垂直的短轴。本发明还提供了一种制造半导体封装件的方法。

公开(公告)号：CN108231874A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710718685.7

申请日：2017-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏嘉余 ,  张復诚 ,  陈信吉 ,  高境鸿 ,  郑枷彬 ,  李国政 ,  黄薰瑩 ,  林彦良

IPC: H01L29/423

Abstract: 一种栅极结构，包含栅极以及具有顶表面和底表面的第一隔离结构。栅极包含邻近第一隔离结构的第一侧壁、第二侧壁、邻近第一侧壁的底部边缘和第二侧壁的底部边缘的第一水平面。第一水平面位于第一隔离结构的顶表面与第一隔离结构的底表面之间。栅极亦包含邻近第二侧壁的顶部边缘的第二水平面。由栅极结构界定出的有效通道宽度包含第二侧壁的高度和第二水平面的宽度。

公开(公告)号：CN105374779A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510482229.8

申请日：2015-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  李明机 ,  郭庭豪 ,  陈承先 ,  陈玉芬 ,  吴胜郁

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1705 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了半导体封装件，包括半导体管芯和衬底，衬底具有电耦接至半导体管芯的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面包括具有多个置放焊盘的核心区域以及围绕核心区域并且具有多条置放迹线的外围区域。置放焊盘的间距为约55μm至约280μm。半导体管芯包括面向衬底的第一表面的第三表面和与第三表面相对的第四表面。第三表面包括对应于衬底的置放焊盘和置放迹线而设置的多个细长凸块，并且细长凸块包括在其截面上的长轴和与长轴垂直的短轴。本发明还提供了一种制造半导体封装件的方法。

公开(公告)号：CN103681590A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310428929.X

申请日：2013-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  曾裕仁 ,  黄昶嘉 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种凸块结构的实施例，包括：形成在衬底上的接触元件；覆盖衬底的钝化层，钝化层具有露出接触元件的钝化开口；覆盖钝化层的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层具有露出接触元件的聚酰亚胺开口；电连接至接触元件的凸块下金属化层（UBM）部件，凸块下金属化层部件具有UBM宽度；以及位于凸块下金属化层部件上的铜柱，铜柱的远端具有铜柱宽度，并且UMB宽度大于铜柱宽度。本发明还提供了一种形成凸块结构的方法。

公开(公告)号：CN103378041A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310090561.0

申请日：2013-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃昶嘉 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  林彦良 ,  邱圣翔

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 公开了在用于形成半导体封装件的BOT结构中所用的焊接掩模沟槽的方法和装置。在迹线上以及在基板上形成焊接掩模层。形成焊接掩模层的开口，该开口称作焊接掩模沟槽，从而暴露出基板上的迹线。焊接掩模沟槽的宽度约为焊料凸块的直径尺寸。焊料凸块直接接合在暴露的迹线上以通过互连件将芯片连接到迹线。通过形成焊接掩模沟槽，在焊接掩模沟槽中暴露出来的迹线具有更好的抓取力，这减少了半导体封装件的迹线剥离故障。在封装件中可以形成多个焊接掩模沟槽环。本发明公开了迹线上凸块芯片封装的方法和装置。

公开(公告)号：CN102956609A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210238922.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭庭豪 ,  陈承先 ,  李明机 ,  吴胜郁 ,  林彦良

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路。集成电路包括形成在衬底上的互连结构；形成在互连结构上并且与互连结构连接的接合金属迹线，其中接合金属迹线包括以第一方向限定的第一宽度T；以及形成在接合金属迹线上并且与接合金属迹线对准的金属凸块柱，其中金属凸块柱包括以第一方向限定的第二宽度U，并且第二宽度U大于第一宽度T。本发明还提供用于凸块对接合迹线比的结构和方法。

公开(公告)号：CN119275115A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411302093.3

申请日：2024-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  刘醇鸿 ,  苏安治

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 实施例是一种形成半导体封装结构的方法，该方法包括形成第一管芯，形成第一管芯包括在第一衬底中形成贯通孔。该方法还包括在贯通孔和第一衬底上方形成第一再分布结构，第一再分布结构电耦接到贯通孔。该方法还包括在第一再分布结构上方形成第一组管芯连接件，并且第一组管芯连接件电耦接到第一再分布结构，第一组管芯连接件位于第一衬底的第一侧上。该方法还包括将第一管芯接合到第二管芯。该方法还包括用第一密封剂密封第一管芯。该方法还包括在第一组管芯连接件上方形成第二组管芯连接件，并且第二组管芯连接件电耦接到第一组管芯连接件，第一组管芯连接件和第二组管芯连接件形成堆叠管芯连接件。本公开的实施例还提供了半导体封装结构。

公开(公告)号：CN119153470A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411152973.7

申请日：2024-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许辰安 ,  李建纬 ,  郑安皓 ,  林彦良 ,  萧茹雄 ,  钟伟纶

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/77

Abstract: 半导体结构包括衬底以及延伸至半导体层中的第一外延源极/漏极部件。半导体结构包括位于第一外延源极/漏极部件之下的半导体层中的第一掺杂区域。第一掺杂区域包括第一浓度的掺杂剂。半导体结构包括延伸至半导体层中的第二外延源极/漏极部件。半导体结构包括位于第二外延源极/漏极部件之下的半导体层中的第二掺杂区域。第二掺杂区域包括小于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN119069543A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411100866.X

申请日：2024-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟伟纶 ,  陈重磊 ,  郑安皓 ,  李建纬 ,  林彦良 ,  萧茹雄

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/329 ,  H10N97/00

Abstract: 描述了电容器结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括第一阱区域、设置在第一阱区域上方的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层以及设置在第二半导体层上的介电层。介电层具有顶面、底面、朝向第二半导体层延伸的一个或多个突起以及顶面中的一个或多个开口。结构还包括设置在介电层上的栅极结构。

公开(公告)号：CN117423710A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311020555.8

申请日：2023-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈重磊 ,  郑安皓 ,  林彦良

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底，衬底具有第一器件和第二器件，其中第一器件和第二器件中的至少一个包括光敏元件。半导体器件包括围绕第一器件的第一隔离部件，其中第一隔离部件具有第一深度。半导体器件包括围绕第二器件的第二隔离部件，其中第二隔离结构具有第二深度，并且其中第一深度大于第二深度。