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公开(公告)号：CN119153470A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411152973.7
申请日：2024-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/77
Abstract: 半导体结构包括衬底以及延伸至半导体层中的第一外延源极/漏极部件。半导体结构包括位于第一外延源极/漏极部件之下的半导体层中的第一掺杂区域。第一掺杂区域包括第一浓度的掺杂剂。半导体结构包括延伸至半导体层中的第二外延源极/漏极部件。半导体结构包括位于第二外延源极/漏极部件之下的半导体层中的第二掺杂区域。第二掺杂区域包括小于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
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