公开(公告)号：CN119108401A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411111634.4

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭玮暄 ,  钟伟纶 ,  郑安皓 ,  李建纬 ,  林彦良 ,  萧茹雄

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请的实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括与衬底中的第二阱区横向分离的第一阱区，在衬底中横向位于第一阱区和第二阱区之间的浅沟槽隔离(STI)结构，与衬底中的第一阱区的掺杂剂类型相反的掺杂剂类型、垂直地低于STI结构并且横向位于第一阱区与STI结构的横向中心之间的第一注入区、和与衬底中的第二阱区的掺杂剂类型相反的掺杂剂类型、垂直地低于STI结构并且横向位于第二阱区和STI结构的横向中心之间的第二注入区。

公开(公告)号：CN119153470A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411152973.7

申请日：2024-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许辰安 ,  李建纬 ,  郑安皓 ,  林彦良 ,  萧茹雄 ,  钟伟纶

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/77

Abstract: 半导体结构包括衬底以及延伸至半导体层中的第一外延源极/漏极部件。半导体结构包括位于第一外延源极/漏极部件之下的半导体层中的第一掺杂区域。第一掺杂区域包括第一浓度的掺杂剂。半导体结构包括延伸至半导体层中的第二外延源极/漏极部件。半导体结构包括位于第二外延源极/漏极部件之下的半导体层中的第二掺杂区域。第二掺杂区域包括小于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN119069543A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411100866.X

申请日：2024-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟伟纶 ,  陈重磊 ,  郑安皓 ,  李建纬 ,  林彦良 ,  萧茹雄

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/329 ,  H10N97/00

Abstract: 描述了电容器结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括第一阱区域、设置在第一阱区域上方的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层以及设置在第二半导体层上的介电层。介电层具有顶面、底面、朝向第二半导体层延伸的一个或多个突起以及顶面中的一个或多个开口。结构还包括设置在介电层上的栅极结构。