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公开(公告)号：CN117488135A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311495072.3
申请日：2023-11-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及一种密封环材料及其制备方法，属于有色金属加工领域。该密封环材料由以下金属元素组成：Bi：1～10wt％，Ag：1～5％，Cu：0.1～1.0wt％，Pb：1×10‑3～3×10‑3wt％，Co：1×10‑4wt％～10×10‑4wt％，Be：1×10‑4wt％～5×10‑4wt％，Ni：1×10‑4wt％～5×10‑4wt％，Sn：余量。采用连续铸造、挤压、机加工、一体化成形的方法制备。本发明的密封环材料成分均匀，具有耐高低温、回弹性好、抗氧化性、耐磨损等性能；同时密封环还具有良好的耐老化性、对密封介质的高适应性和高可靠性；并且在高、低温条件下具有很好的服役能力，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN115781307A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211527026.2
申请日：2022-12-01
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
IPC: B23P23/06
Abstract: 本发明涉及一种金属片状圆环制备方法，属于冶金和压延加工领域。本发明方法包括备料，连续铸造得到棒状铸锭，经过多道次拉拔加工得到圆形截面线材；通过异形截面拉拔/轧制得到梯形截面扁线；再通过精密特种轧制加工成弹簧状扁线材；裁切得到金属片状圆环制品。本发明避免传统的片状圆环制品制备过程中出现的问题，能够制备出尺寸精密、表面清洁、性能优良稳定的片状圆环材料，可推广应用于多种金属片状圆环材料的制备方法中。该方法过程简便，易于操作，提高了材料利用率，改善了材料表面清洁性，可以制得尺寸精准、表面清洁、性能优异的片状圆环材料，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN109590634B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201811329583.7
申请日：2018-11-08
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 一种低Ti高强度银基中温活性钎料及其制备方法，钎料的组成为：Cu 20‑25wt％，Sn 15‑25wt％，Pd 1‑5wt％，Ti 1.0‑3.0wt％，Ag为余量。制备方法包括取各金属按照合金配比进行熔炼，然后进行高压气雾化、沉积成形，随后将成形的坯料进行热挤压处理，使合金致密化，然后对致密化的坯料进行轧制加工，最终获得AgCuSnPdTi合金片材。该方法制备的合金钎料成分均匀、无偏析，可以加工成片材，焊接温度较常规AgCuTi活性钎料低接近200℃，从而降低Si3N4陶瓷焊接接头残余热应力，提高Si3N4陶瓷焊接强度和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107855679B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201711104843.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法，属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计，其组成为：Ag 42.0％～48.0％，Ga 3.0％～5.0％，Ni 0.1％～2.0％，余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法，可制备出厚度20μm，宽度250mm的宽幅极薄带材，该制备方法简单，利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当，钎焊工艺性好，具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点，对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99％；焊缝抗拉强度σb≥150MPa；用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10‑11Pam3/s。
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公开(公告)号：CN112593113A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011439840.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明涉及一种铜合金游丝材料及其制备方法，属于冶金和压延加工领域。该铜合金游丝材料主要用于陀螺仪惯性导航系统。该铜合金由以下含量的成分组成：Be 0～5wt％、Ni 0.2～1wt％、Zn 1～5wt％、Sn 1～5wt％，Cu余量。本发明涉及的铜合金游丝材料成分均匀，尺寸精准，机械性能和耐腐蚀性能优良，采用连续铸造、旋锻、单丝拉拔、特种轧制、异形拉拔及配合的热处理方法制备。采用该方法克服了合金脆性带来的加工困难，可以制得尺寸精准、性能优异的铜合金游丝材料，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN109022889A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811019465.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC classification number: C22C5/02 , B22D17/08 , B22D17/14 , B23K35/3013 , C22C1/02 , C22F1/02 , C22F1/14 , H01B1/02
Abstract: 本发明涉及一种高强度金基合金材料及其制备方法和用途。该合金组成及各组分质量百分比为：Ge：8.0％～15％，Ni：1.0％‑1.49％，Cu：0.1％‑0.49％，Y：0.01％‑0.49％、Gd：0.01％‑0.49％，Au：余量。采用真空压铸‑轧制‑时效工艺加工成合金片材，且片材的厚度为0.015‑0.8mm，使用激光表面处理设备完成制品的加工。本发明金锗镍铜合金是一种金基高强度中温钎料，可用于可伐合金、不锈钢合金、高强度铜合金的焊接，实现Si芯片与陶瓷基体的结合；金锗镍铜合金具有较低的接触电阻，又可用作一种新型性能优异的电子工业用触点功能材料使用。
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公开(公告)号：CN107855679A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711104843.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法，属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计，其组成为：Ag 42.0％～48.0％，Ga 3.0％～5.0％，Ni 0.1％～2.0％，余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法，可制备出厚度20μm，宽度250mm的宽幅极薄带材，该制备方法简单，利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当，钎焊工艺性好，具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点，对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99％；焊缝抗拉强度σb≥150MPa；用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10-11Pam3/s。
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公开(公告)号：CN215144704U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202121433012.5
申请日：2021-06-24
Applicant: 北京有色金属与稀土应用研究所
IPC: B22F9/10
Abstract: 一种超声离心雾化制粉装置，包括制备仓、中间包、导流管、伞状超声器、离心盘、充气管和收集仓；制备仓中由上至下依次设置中间包、导流管、伞状超声器和离心盘；中间包上具有加热装置，中间包顶部连接氮气管，并具有合金溶液浇铸口，中间包底部连接导流管；导流管下方为伞状超声器，超声器的上表面为伞面状；伞状超声器的下方为离心盘；制备仓的底部侧面具有充气管，制备仓的底部相对充气管的一侧依次设置多个收集仓。该装置可制备微米级合金粉，所制备的粉体具有较高的球形度、球形率，粉体的粒径均匀集中。
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