一种电真空钎料及制备方法

    公开(公告)号:CN103170760B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201110428288.9

    申请日:2011-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种银铜锗钴合金电真空钎料及制备方法,该合金成分组成及质量百分比为:Cu,26-30%;Ge,1.5-2.5%;Co,0.15-0.35%;Ag,余量。该合金熔流点773±10℃。首先制备银铜锗钴合金铸锭,再根据需要尺寸压力加工为相应的片材或丝材;在开坯、中轧、精轧工序中道次变形量控制在10-20%以内,总变形量控制在80%-90%以内。中间去应力退火温度控制在400-500℃之间,保温时间1-2小时。熔铸和加工过程中严格控制合金的清洁性和溅散性;其在焊接不锈钢、可伐等结构件过程中省去了镀镍的工艺步骤,能够取代Ag-Cu28焊料;同时也解决了Ag-Cu-Ni合金钎料的熔流点不一致、焊接温度高的问题,在与银铜28相同焊接温度下,本发明与母材的润湿性很理想。

    一种电真空钎料及制备方法

    公开(公告)号:CN103170760A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201110428288.9

    申请日:2011-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种银铜锗钴合金电真空钎料及制备方法,该合金成分组成及质量百分比为:Cu,26-30%;Ge,1.5-2.5%;Co,0.15-0.35%;Ag,余量。该合金熔流点773±10℃。首先制备银铜锗钴合金铸锭,再根据需要尺寸压力加工为相应的片材或丝材;在开坯、中轧、精轧工序中道次变形量控制在10-20%以内,总变形量控制在80%-90%以内。中间去应力退火温度控制在400-500℃之间,保温时间1-2小时。熔铸和加工过程中严格控制合金的清洁性和溅散性;其在焊接不锈钢、可伐等结构件过程中省去了镀镍的工艺步骤,能够取代Ag-Cu28焊料;同时也解决了Ag-Cu-Ni合金钎料的熔流点不一致、焊接温度高的问题,在与银铜28相同焊接温度下,本发明与母材的润湿性很理想。

    一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107855679B

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN201711104843.6

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法,属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计,其组成为:Ag 42.0%~48.0%,Ga 3.0%~5.0%,Ni 0.1%~2.0%,余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法,可制备出厚度20μm,宽度250mm的宽幅极薄带材,该制备方法简单,利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当,钎焊工艺性好,具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点,对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99%;焊缝抗拉强度σb≥150MPa;用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10‑11Pam3/s。

    一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107855679A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711104843.6

    申请日:2017-11-10

    CPC classification number: B23K35/30 B23K35/40

    Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法,属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计,其组成为:Ag 42.0%~48.0%,Ga 3.0%~5.0%,Ni 0.1%~2.0%,余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法,可制备出厚度20μm,宽度250mm的宽幅极薄带材,该制备方法简单,利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当,钎焊工艺性好,具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点,对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99%;焊缝抗拉强度σb≥150MPa;用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10-11Pam3/s。

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