一种合金态活性钎料丝材及其制备方法

    公开(公告)号:CN119188026A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411409804.7

    申请日:2024-10-10

    Abstract: 本发明涉及一种合金态活性钎料丝材及其制备方法,属于有色金属钎焊材料加工领域。该丝材包括活性钎料丝材母合金和活性元素,母合金为Ag基合金或Cu基合金,活性元素为Ti,活性元素占比为6~12wt%,其余为母合金。采用固液混合搅拌+快速拉铸凝固方式将球形Ti粉均匀分散在母合金中,垂直拉铸出成分均匀的合金棒材,经冷拉拔加工得到直径0.3mm的活性钎料丝材。本发明主要是解决了活性钎料合金态丝材产品无法成型难题,采用本装置和方法制备出的丝材成分均匀、性能优异、成材率高,且成本低,利于批量生产。

    高性能金钒合金材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110029244A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201910428798.2

    申请日:2019-05-22

    Abstract: 本发明涉及一种高性能金钒合金材料及其制备方法和应用,该合金主要被应用于硅微波功率晶体管中金属化系统的制备等。该金钒合金中V为0.1-9.9wt%,Au为余量。配料后,用加装有电磁控制的高频感应真空炉设备,并在熔炼过程中开启磁控搅拌,使金属钒充分熔化;向炉体内充氩气;停止加热,将金属熔液浇铸至铸铁模具中,随炉冷却,取出,得到钒含量较高的中间合金锭;将得到的金钒中间合金再用相同的方法与金一起熔化、精炼,得到含钒量较低的金钒合金。用该合金再经过拉拔、轧制、热处理工序,得到丝材、靶材和带材。本发明金钒中间合金具有较高钒含量,且误差范围小,钒含量均匀;满足硅微波功率晶体管中金属化系统制备的要求。

    一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107855679B

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN201711104843.6

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法,属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计,其组成为:Ag 42.0%~48.0%,Ga 3.0%~5.0%,Ni 0.1%~2.0%,余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法,可制备出厚度20μm,宽度250mm的宽幅极薄带材,该制备方法简单,利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当,钎焊工艺性好,具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点,对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99%;焊缝抗拉强度σb≥150MPa;用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10‑11Pam3/s。

    一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107855679A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711104843.6

    申请日:2017-11-10

    CPC classification number: B23K35/30 B23K35/40

    Abstract: 本发明公开一种真空电子器件封接用低银钎料及其制备方法,属于钎焊材料技术领域。按质量百分比计,其组成为:Ag 42.0%~48.0%,Ga 3.0%~5.0%,Ni 0.1%~2.0%,余量为Cu。采用“真空连续铸造—固溶热处理—轧制—在线拉矫热处理—精轧”的方法,可制备出厚度20μm,宽度250mm的宽幅极薄带材,该制备方法简单,利于批量生产。该低银钎料熔化温度与AgCuNi钎料相当,钎焊工艺性好,具有良好的润湿性和银含量低、蒸气压低等优点,对无氧铜、镍等材料的钎着率高于99%;焊缝抗拉强度σb≥150MPa;用于真空电子管等真空器件的封接的封装漏率≤1.0×10-11Pam3/s。

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