公开(公告)号：CN1392597A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02123315.2

申请日：2002-06-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  榊原干人

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在化合物半导体装置中，在接点电极之下，为了安全，在最终工序之前，留有硅氮化膜，但有以下缺点，由于基板和硅氮化膜坚硬，接合时硅氮化膜易开裂。本发明在接点电极及配线层之下或周端部之下，设置高浓度区域，除去接点电极下的氮化膜。即使利用高浓度区域除去氮化膜，也能确保规定的隔离水平，所以，可以省略用于防止开裂的镀金工序。另外，可以缩小各接点和配电层的间隔距离，实现芯片缩小。

公开(公告)号：CN1381952A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN01143816.9

申请日：2001-12-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  土屋等 ,  平井利和

IPC: H03K17/693 ,  H01L29/772 ,  H04B1/44

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 在化合物半导体开关电路装置中,2连开关电路装置的有用性是公认的,但存在组件插针数增大、芯片尺寸增大等问题。解决的方法是:用8只插针实现用1组互补信号的控制信号可以动作的2电路2连开关元件,内藏入芯片尺寸组件内。把开关电路装置的2只电阻配置在FET和电极衬垫之间,通过使一方的电阻与栅极金属层交叉,实现芯片尺寸的小型化和组件尺寸的小型化。

公开(公告)号：CN1372382A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02106544.6

申请日：2002-02-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 平井利和 ,  浅野哲郎

IPC: H03K17/00

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L23/4824 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/693 ,  H03K2217/0036 ,  H01L2924/00

Abstract: 在化合物半导体开关电路装置中,为进行开关动作,对每一个FET都设置了控制端点。因此,存在印刷基板的安装面积大的问题。本发明的课题具有如下特征:具备第1和第2FET、与上述两FET的源电极或漏电极连接的公用输入端点、与上述两FET的漏电极或源电极连接的第1和第2输出端点、向上述第1FET的上述第1输出端点供给规定的偏压的偏压装置、连接控制端点和上述第2输出端点的连接装置、使上述第2FET的栅电极接地的接地装置、以及在上述公用输入端点和上述第2FET的源电极或漏电极间隔直流的隔离装置,向与上述第1FET的栅电极连接的控制端点施加控制信号。

公开(公告)号：CN1348255A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01125561.7

申请日：2001-08-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  平井利和

IPC: H03K17/693 ,  H01L29/78

Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置,原来为了尽可能减小插入损失,采用了将栅极宽度Wg取得大一些、降低FET的导通电阻的方法。此外,还将焊盘和相邻布线层之间的距离取为20μm以上。对2.4GHz以上的高频,设计时着眼于确保隔离度而省去分路FET,从两方面去考虑过去采用的降低FET的导通电阻的效果。即,在化合物半导体开关电路装置中,将开关用的FET的栅极宽度设定在700μm以下来减小其尺寸,同时,在焊盘周边部设置绝缘膜,用小的空间来确保高频信号的耦合和耐压。结果,可以大幅度缩小芯片的尺寸。

公开(公告)号：CN1855718A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073261.1

申请日：2006-04-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  日下佑一 ,  榊原干人 ,  石原秀俊

IPC: H03K17/00 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0605

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体开关电路装置，在内装有逻辑电路的化合物半导体开关MMIC中，存在有逻辑电路的E－FET、电容抗静电击穿弱的问题。在逻辑电路的逻辑电路L的控制端子Ctl－接地端子GND之间、点CP－接地端子GND之间以及电源端子VDD－接地端子GND之间分别连接保护元件(200)。由此，可防止构成倒相元件(70)的E－FET和电容Ci、Cr被来自外部的静电破坏。由于保护元件可由逻辑电路的必要结构要素构成，故不必附加特别的工序或结构即可实现。

公开(公告)号：CN1282241C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02150650.7

申请日：2002-11-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  榊原干人 ,  猪爪秀行 ,  境春彦 ,  木村茂夫

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体装置。把化合物半导体芯片固定在冲裁框架的岛上、树脂密封的封装结构有封装尺寸的小型化不进展的问题。反向控制型的情况下，形成芯片尺寸变大、重新作图形成本也会增大的原因。本发明把两个图形在芯片下延伸、芯片固定在图形上，控制端子调换连接处。这样使用同一芯片同一图形、仅以焊接位置就可调换一般图形和反向控制型的图形，所以对用户的要求可迅速并灵活地应对，还可大幅度降低成本。由于是CSP，所以可大大有助于封装的小型化。

公开(公告)号：CN1279626C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN02141456.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  小野田克明 ,  中岛好史 ,  村井成行 ,  冨永久昭 ,  平田耕一 ,  榊原干人 ,  石原秀俊

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n+型离子注入区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。由于可使电极间距离接近，可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN1279625C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN02141455.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  小野田克明 ,  中岛好史 ,  村井成行 ,  冨永久昭 ,  平田耕一 ,  榊原干人 ,  石原秀俊

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/328

Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n型及n+型离子注入区域形成动作区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基电极时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN1794583A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510131707.7

申请日：2005-12-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  榊原干人

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/00

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0251

Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置，在开关MMIC中，为提高静电击穿电压，有将控制电阻靠近共通输入端子焊盘配置，并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是，当输入到共通输入端子焊盘上的高频模拟信号泄漏到控制电阻上，而到达控制端子焊盘上时，存在插入损耗增大的问题。在控制端子焊盘的附近，从控制端子焊盘到保护元件之间的控制电阻上连接高电阻体。由此，即使高频模拟信号泄漏到控制电阻上，也可以通过高电阻体将其衰减。因此，实质上高频模拟信号不会传递到控制端子焊盘上，可抑制插入损耗的增大。

公开(公告)号：CN1260826C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN02124890.7

申请日：2002-06-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 ,  上川正博 ,  平田耕一 ,  榊原干人

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/45 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42312 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45117 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种化合物半导体装置，用于高频器件的GaAs FET，为了缩小芯片尺寸、降低成本，将各接点电极沿芯片角配置为L型。为了更加缩小芯片尺寸、和提高高频特性，将各接点电极配置在芯片各角，FET在中央相对于芯片边呈45度倾斜配置。以此，芯片尺寸能更加缩小，可以实现比超高频的硅半导体的FET更便宜的GaAs FET。