公开(公告)号：CN100472814C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN02147950.X

申请日：2002-10-30

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  小野田克明 ,  中岛好史 ,  村井成行 ,  冨永久昭 ,  平田耕一 ,  榊原干人 ,  石原秀俊

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L27/0814 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： 一种集成型肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，在集成型肖特基势垒二极管的分离中，需要设置沟道、埋设聚酰亚胺层、较大地设置用于形成沟道的距离的余量，存在不能进行芯片小型化、制造工序也很复杂的问题。本发明利用离子注入形成的绝缘化区域，将各肖特基势垒二极管分离。消除了沟道和聚酰亚胺等GaAs表面的大的凸凹，所以，不需要考虑掩膜对位偏差的距离的余量，故芯片可大幅缩小。还具有可简化制造工序的优点。

公开(公告)号：CN1291492C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN03110488.6

申请日：2003-04-17

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  榊原干人

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/50 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/4175 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体开关电路装置及其制造方法。在以往的化合物半导体开关电路装置中，高频信号会通过模制树脂而泄漏，从而引起隔离恶化。本发明的半导体开关电路装置在FET的周围设置支柱，在FET上设置由支柱支承的屏蔽金属。由于FET和屏蔽金属的间隔距离小，故当进行通常的树脂模制时，树脂不会进入该空间，FET之上形成中空。也就是说，FET和树脂由屏蔽金属屏蔽，FET的IN-OUT之间由介电常数高的空气屏蔽，所以可防止高频信号的泄漏。

公开(公告)号：CN1874155A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089830.1

申请日：2006-05-24

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  日下佑一 ,  榊原干人

IPC分类号： H03K17/00

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L29/402 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

摘要： 本发明涉及一种化合物半导体装置。以往，在邻近的两个元件间配置高浓度杂质区域，通过施加浮动电位或GND电位来提高两元件间的隔离的方式，在泄漏的高频信号的功率大的情况下使高浓度杂质区域的电位变动，而不能充分确保两元件间的隔离。为解决该问题，在邻近的两个元件间配置传导区域或金属层构成的分离元件。分离元件连接高电阻元件，与直流端子焊盘连接。另外，从直流端子焊盘到分离元件的连接路径成为电位不进行高频振动的路径。由此，至少一侧上高频信号传送的两元件间配置高频GND电位，防止两元件间的高频信号的泄漏。

公开(公告)号：CN1282256C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200310101014.4

申请日：2003-10-10

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  榊原干人 ,  中岛好史 ,  石原秀俊

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L27/095

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/812

摘要： 一种半导体装置，为了使开关电流装置为5GHz，必须设置并联FET，为提高绝缘，栅极电极邻接的FET之间必须确保20μm左右的间隔距离。在FET的栅极电极及电极焊盘、配线邻接的其它的FET、栅极金属层、杂质区域之间设置高浓度杂质区域，抑制耗尽层的扩展。在FET的掩膜对位中，使用在源漏极区域上设置的氧化膜提高掩膜对位的精度。即使缩小栅极宽度，也可提高FET的基本性能，在现有同等的特性中，可缩小栅极宽度，可降低FET间的间隔距离，故可实现绝缘提高的5GHz开关。

公开(公告)号：CN1455458A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03110488.6

申请日：2003-04-17

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  榊原干人

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H03K17/16 ,  H03K17/693 ,  H04B1/44

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/4175 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体开关电路装置及其制造方法。在以往的化合物半导体开关电路装置中，高频信号会通过模制树脂而泄漏，从而引起隔离恶化。本发明的半导体开关电路装置在FET的周围设置台柱，在FET上设置由台柱支承的屏蔽金属。由于FET和屏蔽金属的间隔距离小，故当进行通常的树脂模制时，树脂不会进入该空间，FET之上形成中空。也就是说，FET和树脂由屏蔽金属屏蔽，FET的IN－OUT之间由介电常数高的空气屏蔽，所以可防止高频信号的泄漏。

公开(公告)号：CN1419284A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02149804.0

申请日：2002-11-01

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  榊原干人 ,  猪爪秀行 ,  境春彦 ,  木村茂夫

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0605 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H03K17/002 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体装置，现在的双联开关封装中有用户为调换输入端子而交叉的不方便。且封装外形也大，有即使芯片的小型化在进展也不能发挥优越性的问题。把一个引线在芯片下面绕过其它的图形延伸，把芯片粘合在图形上，将输入端子用焊接点连接在从芯片露出的引线上。这样实现在CSP的封装内实际交叉RF信号路径的电路，实现用户安装时的装置的小型化。

公开(公告)号：CN1393933A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN02124890.7

申请日：2002-06-24

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  上川正博 ,  平田耕一 ,  榊原干人

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/45 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42312 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45117 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00

摘要： 一种化合物半导体装置，用于高频器件的GaAsFET，为了缩小芯片尺寸、降低成本，将各接点电极沿芯片角配置为L型。为了更加缩小芯片尺寸、和提高高频特性，将各接点电极配置在芯片各角，FET在中央相对于芯片边呈45度倾斜配置。以此，芯片尺寸能更加缩小，可以实现比超高频的硅半导体的FET更便宜的GaAs FET。

公开(公告)号：CN1392597A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02123315.2

申请日：2002-06-18

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  榊原干人

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 在化合物半导体装置中，在接点电极之下，为了安全，在最终工序之前，留有硅氮化膜，但有以下缺点，由于基板和硅氮化膜坚硬，接合时硅氮化膜易开裂。本发明在接点电极及配线层之下或周端部之下，设置高浓度区域，除去接点电极下的氮化膜。即使利用高浓度区域除去氮化膜，也能确保规定的隔离水平，所以，可以省略用于防止开裂的镀金工序。另外，可以缩小各接点和配电层的间隔距离，实现芯片缩小。

公开(公告)号：CN1794582B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200510131706.2

申请日：2005-12-13

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  榊原干人

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/00

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L29/812 ,  H03K17/007 ,  H03K17/693

摘要： 一种化合物半导体开关电路装置，在反向控制型逻辑MMIC中，将电阻配置于共通输入端子焊盘和FET之间。即在电阻上介由氮化膜配置焊盘配线，存在焊盘配线上的高频模拟信号泄漏到控制端子上，使插入损耗增加的问题。在第一及第二控制端子附近，在到第一连接装置及第二连接装置的交叉部的之间连接5KΩ以上的高电阻体。即使焊盘配线上的高频模拟信号泄漏到第一及第二连接装置上，也可以通过高电阻体将其衰减。因此，实质上不向控制端子焊盘传送高频模拟信号，可抑制插入损耗的增大。

公开(公告)号：CN100487895C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN02144460.9

申请日：2002-09-28

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 浅野哲郎 ,  平井利和 ,  东野太荣 ,  平田耕一 ,  榊原干人

IPC分类号： H01L27/095

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043

摘要： 一种化合物半导体装置。该装置为了尽可能的减小插入损失(InsertionLoss)采用了加大栅宽度Wg，使FET关电阻减少的设计方法。另外，衬垫与配线层的间隔距离也取20μm以上。在2.4GHz以上的高频带上着眼于省略分路FET确保隔离(Isolation)的设计，到现在为止的FET“开”电阻的减少认为是次要的。亦即，在化合物半导体装置中，开关用FET的栅宽度Wg设定为700μm以下，在其尺寸减少的同时，衬垫及配线层之下设有杂质区域40，并在确保高频信号的耦合和耐压的情况下减少空间，其结果，能大幅减少芯片尺寸。