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公开(公告)号：CN1381952A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN01143816.9
申请日：2001-12-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/693 , H01L29/772 , H04B1/44
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/4832 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L2221/68377 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在化合物半导体开关电路装置中,2连开关电路装置的有用性是公认的,但存在组件插针数增大、芯片尺寸增大等问题。解决的方法是:用8只插针实现用1组互补信号的控制信号可以动作的2电路2连开关元件,内藏入芯片尺寸组件内。把开关电路装置的2只电阻配置在FET和电极衬垫之间,通过使一方的电阻与栅极金属层交叉,实现芯片尺寸的小型化和组件尺寸的小型化。
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公开(公告)号：CN1372382A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02106544.6
申请日：2002-02-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L23/4824 , H01L2924/0002 , H03K17/693 , H03K2217/0036 , H01L2924/00
Abstract: 在化合物半导体开关电路装置中,为进行开关动作,对每一个FET都设置了控制端点。因此,存在印刷基板的安装面积大的问题。本发明的课题具有如下特征:具备第1和第2FET、与上述两FET的源电极或漏电极连接的公用输入端点、与上述两FET的漏电极或源电极连接的第1和第2输出端点、向上述第1FET的上述第1输出端点供给规定的偏压的偏压装置、连接控制端点和上述第2输出端点的连接装置、使上述第2FET的栅电极接地的接地装置、以及在上述公用输入端点和上述第2FET的源电极或漏电极间隔直流的隔离装置,向与上述第1FET的栅电极连接的控制端点施加控制信号。
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公开(公告)号：CN1348255A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01125561.7
申请日：2001-08-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/693 , H01L29/78
Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置,原来为了尽可能减小插入损失,采用了将栅极宽度Wg取得大一些、降低FET的导通电阻的方法。此外,还将焊盘和相邻布线层之间的距离取为20μm以上。对2.4GHz以上的高频,设计时着眼于确保隔离度而省去分路FET,从两方面去考虑过去采用的降低FET的导通电阻的效果。即,在化合物半导体开关电路装置中,将开关用的FET的栅极宽度设定在700μm以下来减小其尺寸,同时,在焊盘周边部设置绝缘膜,用小的空间来确保高频信号的耦合和耐压。结果,可以大幅度缩小芯片的尺寸。
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公开(公告)号：CN100338773C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200410002904.4
申请日：2004-01-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0288 , B82Y30/00 , H01L51/426 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 一种开关电路装置，以往由于未实施提高静电击穿电压的对策，故FET的栅极肖脱基结的两端导出到外部的共通输入端子IN-控制端子Ctl-1间、共通输入端子IN-控制端子Ctl-2间及控制端子Ctl-1-输出端子OUT1间、控制端子Ctl-2-输出端子OUT2间存在静电击穿抵抗力弱的问题。在芯片上设置两个连接在一个控制端子上的电极焊盘，并通过和共通输入端子焊盘IN、输出端子焊盘O1、O2接近配置来连接保护元件。可使输出端子OUT1-控制端子Ctl-1间、共通输入端子IN-控制端子Ctl-1间、输出端子OUT2-控制端子Ctl-2间、共通输入端子IN-控制端子Ctl-2间施加的静电能各自同程度且最有效地衰减。
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公开(公告)号：CN1216426C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02119269.3
申请日：2002-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/778 , H03K17/00
CPC classification number: H01L29/812 , H01L27/0605
Abstract: 在以往的化合物半导体开关电路装置中，为了尽可能减少插入损耗，而采用了增大栅极宽度Wg，降低FET的导通电阻的设计方法。另外，还采用了在栅极宽度为600微米下得到规定的绝缘的方法。但是，以缩短芯片尺寸为目的，将栅极宽度设为400微米时，存在输出功率不足的问题。本发明着眼于在2.4GHz以上的高频带下省略分流FET并确保绝缘的设计，并进一步具有发送侧FET和接收侧FET杂质浓度不同的沟道区域的非对称型电路。由此，将栅极宽度降低至400微米，使栅极的电容成分减少，实现可在两个信号路径之间得到规定的绝缘，且输出必要最大功率的电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1372381A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02106541.1
申请日：2002-02-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/00
CPC classification number: H03K17/693 , H01L23/4824 , H01L23/49503 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4912 , H01L2224/49171 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01037 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H03K2217/0036 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 在化合物半导体开关电路装置中,为了使开关工作,将控制端设置在每个FET中。因此,存在印刷基板的安装面积增大的问题。本发明的特征在于:备有第一及第二FET、公用输入端、第一及第二输出端、偏压装置、连接控制端和上述第二输出端的连接装置、使上述第二FET的栅极接地的接地装置、以及对上述公用输入端和上述第二FET隔直流的隔离装置,在芯片的端部排列着:连接在上述隔离装置上的焊接区、连接在上述公用输入端上的焊接区、连接在上述控制端上的焊接区、连接在上述第一及第二输出端上的焊接区、以及连接在上述接地装置上的焊接区。
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公开(公告)号：CN1541416A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN02815748.6
申请日：2002-11-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/095 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/812 , H01L27/0248 , H01L27/0255 , H01L29/808
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以解决以下问题：在微波FET中，内在的肖特基接合或PN结电容小，这些接合对静电防护弱。但是在微波器件中由于连接保护二极管会增加寄生电容，导致高频特性的恶化，所以不能采用该方法。本发明在FET的2个端子间并联连接由第1N+型区域、绝缘区域、第2N+型区域组成的保护元件。可以在接近的第1、第2N+区域间放电，所以可以不增加寄生电容地使到达FET工作区域的静电能量衰减。
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公开(公告)号：CN1519927A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410004010.9
申请日：2004-02-04
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L24/05 , H01L29/812 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以解决在微波FET中，内在的肖特基接合电容或pn结电容小，这些接合对静电的防护弱。但是在微波器件中，通过连接保护二极管导致寄生电容增加，带来高频特性恶化而不能采用该方法的问题。本发明的半导体装置并联设置2条从栅极电极焊盘开始到工作区域上的施加电极的路径，1条通过源极电极焊盘附近，另1条通过漏极电极附近，通过在各个接近的部分将保护元件连接在栅极电极－源极电极间、栅极电极－漏极电极间，可以使FET的静电破坏电压从100V左右提高到700V。
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公开(公告)号：CN1412857A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02144460.9
申请日：2002-09-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L27/04 , H03K17/687 , H04B1/04
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19043
Abstract: 一种化合物半导体装置。该装置为了尽可能的减小插入损失(Insertion Loss)采用了加大栅宽度Wg，使FET关电阻减少的设计方法。另外，衬垫与配线层的间隔距离也取20μm以上。在2.4GHz以上的高频带上着眼于省略分路FET确保隔离(Isolation)的设计，到现在为止的FET“开”电阻的减少认为是次要的。亦即，在化合物半导体装置中，开关用FET的栅宽度Wg设定为700μm以下，在其尺寸减少的同时，衬垫及配线层之下设有杂质区域40，并在确保高频信号的耦合和耐压的情况下减少空间，其结果，能大幅减少芯片尺寸。
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公开(公告)号：CN1388585A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02120082.3
申请日：2002-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0605
Abstract: 本发明的课题是作成一种使利用2.4GHz以上的高频带的发送侧FET及接收侧FET具有不同的杂质浓度的沟道区的非对称型的电路。为此,将栅极宽度减小到400微米以减小栅极的电容成分,在两个信号路径之间获得规定的隔离,而且能实现输出所希望的最大线性功率的电路。可是,对失真严格的用户要求来说,功率不足,只控制沟道形成条件,Idss的增加有限。解决方法是:使一个栅极宽度为500微米,并且控制沟道形成条件,从而确保Idss,并确保最大线性输入功率。
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