Patent search ap:("三洋电机株式会社") AND inv:"浅野哲郎" Page 1

1.

发明授权
半导体装置失效

公开(公告)号：CN100527418C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200510077884.1

申请日：2005-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎

IPC: H01L27/04 , H03K17/00

CPC classification number: H01L27/0629 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H03K17/693 , H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、配线和金属层近接的区域，存在在配线中传输的高频信号通过作为电容成分的氮化膜，作为半绝缘衬底上的耗尽层的变化，泄漏到对方的问题。在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、或配线和栅极金属层相邻的间隙的区域的衬底上岛状设置浮游杂质区域。浮游杂质区域是浮置电位，遮断从氮化膜上的配线向衬底延伸的耗尽层。因此，在氮化膜上的配线相互之间、或氮化膜上的配线和杂质区域(动作区域、电阻、周边杂质区域)、或氮化膜上的配线和金属层相邻的区域，可防止高频信号介由从氮化膜上的配线在衬底上延伸的耗尽层泄漏到对方一侧。

2.

发明授权
半导体装置及其制造方法失效

公开(公告)号：CN100501999C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510073879.3

申请日：2005-05-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎

IPC: H01L27/04 , H01L29/772 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H03K17/687

CPC classification number: H01L23/62 , H01L23/5228 , H01L23/544 , H01L24/06 , H01L27/0605 , H01L2223/54453 , H01L2924/12032 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在单片形成HEMT和电阻元件时，电阻元件由于含有盖层，故薄膜电阻值低，在形成高的电阻值的电阻时，需要在芯片内长距离内回绕电阻，使芯片面积增大。以规定的形状设置除去盖层的凹槽部，在凹槽部两端连接电阻元件电极。由于电阻层仅为沟道层，且薄膜电阻值高，故可以以短的距离得到高的电阻值。由于不在芯片内在长的距离内回绕设置电阻既可得到足够高的电阻值，故可缩小芯片尺寸。

3.

发明授权
集成型肖特基势垒二极管及其制造方法失效

公开(公告)号：CN100472814C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN02147950.X

申请日：2002-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 , 小野田克明 , 中岛好史 , 村井成行 , 冨永久昭 , 平田耕一 , 榊原干人 , 石原秀俊

IPC: H01L29/872 , H01L29/47

CPC classification number: H01L27/0814 , H01L24/05 , H01L27/0605 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L2224/04042 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/00

Abstract: 一种集成型肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，在集成型肖特基势垒二极管的分离中，需要设置沟道、埋设聚酰亚胺层、较大地设置用于形成沟道的距离的余量，存在不能进行芯片小型化、制造工序也很复杂的问题。本发明利用离子注入形成的绝缘化区域，将各肖特基势垒二极管分离。消除了沟道和聚酰亚胺等GaAs表面的大的凸凹，所以，不需要考虑掩膜对位偏差的距离的余量，故芯片可大幅缩小。还具有可简化制造工序的优点。

4.

发明授权
化合物半导体装置及其制造方法失效

公开(公告)号：CN100463228C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510077880.3

申请日：2005-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/0605 , H01L29/7785 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48666 , H01L2224/48669 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/01032 , H01L2924/00

Abstract: 一种化合物半导体装置及其制造方法，以往在化合物半导体装置中，在焊盘电极下设有栅极金属层，但在采用埋入栅极电极结构的情况下，焊盘电极下层的栅极金属层硬化，引线接合时多有不良产生。本发明的化合物半导体装置在HEMT中不设置栅极金属层，仅由焊盘金属层形成焊盘电极。焊盘电极下方设置高浓度杂质区域，将焊盘电极直接固定在衬底上。由于可利用高浓度杂质区域确保规定的绝缘，故由不要和现有同样的氮化膜的结构，可进一步避免栅极金属层硬化造成的引线接合时的不良。因此，即使是提高HEMT特性的埋入栅极电极结构，也可以实现可靠性的提高及成品率的提高。

5.

发明授权
半导体开关电路装置及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1291492C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN03110488.6

申请日：2003-04-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 , 榊原干人

IPC: H01L23/58 , H01L21/50 , H01L27/00

CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/4824 , H01L23/552 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L29/4175 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48644 , H01L2224/48666 , H01L2224/48669 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/05042 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体开关电路装置及其制造方法。在以往的化合物半导体开关电路装置中，高频信号会通过模制树脂而泄漏，从而引起隔离恶化。本发明的半导体开关电路装置在FET的周围设置支柱，在FET上设置由支柱支承的屏蔽金属。由于FET和屏蔽金属的间隔距离小，故当进行通常的树脂模制时，树脂不会进入该空间，FET之上形成中空。也就是说，FET和树脂由屏蔽金属屏蔽，FET的IN-OUT之间由介电常数高的空气屏蔽，所以可防止高频信号的泄漏。

6.

发明公开
化合物半导体装置失效

公开(公告)号：CN1874155A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089830.1

申请日：2006-05-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 , 日下佑一 , 榊原干人

IPC: H03K17/00

CPC classification number: H01L27/0605 , H01L29/402 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体装置。以往，在邻近的两个元件间配置高浓度杂质区域，通过施加浮动电位或GND电位来提高两元件间的隔离的方式，在泄漏的高频信号的功率大的情况下使高浓度杂质区域的电位变动，而不能充分确保两元件间的隔离。为解决该问题，在邻近的两个元件间配置传导区域或金属层构成的分离元件。分离元件连接高电阻元件，与直流端子焊盘连接。另外，从直流端子焊盘到分离元件的连接路径成为电位不进行高频振动的路径。由此，至少一侧上高频信号传送的两元件间配置高频GND电位，防止两元件间的高频信号的泄漏。

7.

发明授权
半导体装置失效

公开(公告)号：CN1282256C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200310101014.4

申请日：2003-10-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 浅野哲郎 , 榊原干人 , 中岛好史 , 石原秀俊

IPC: H01L29/812 , H01L27/095

CPC classification number: H01L21/761 , H01L21/76283 , H01L21/823481 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/42316 , H01L29/812

Abstract: 一种半导体装置，为了使开关电流装置为5GHz，必须设置并联FET，为提高绝缘，栅极电极邻接的FET之间必须确保20μm左右的间隔距离。在FET的栅极电极及电极焊盘、配线邻接的其它的FET、栅极金属层、杂质区域之间设置高浓度杂质区域，抑制耗尽层的扩展。在FET的掩膜对位中，使用在源漏极区域上设置的氧化膜提高掩膜对位的精度。即使缩小栅极宽度，也可提高FET的基本性能，在现有同等的特性中，可缩小栅极宽度，可降低FET间的间隔距离，故可实现绝缘提高的5GHz开关。