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化合物半导体开关电路装置
Abstract:
一种化合物半导体开关电路装置,在开关MMIC中,为提高静电击穿电压,有将控制电阻靠近共通输入端子焊盘配置,并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是,当输入到共通输入端子焊盘上的高频模拟信号泄漏到控制电阻上,而到达控制端子焊盘上时,存在插入损耗增大的问题。在控制端子焊盘的附近,从控制端子焊盘到保护元件之间的控制电阻上连接高电阻体。由此,即使高频模拟信号泄漏到控制电阻上,也可以通过高电阻体将其衰减。因此,实质上高频模拟信号不会传递到控制端子焊盘上,可抑制插入损耗的增大。
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