Invention Publication
CN1794583A 化合物半导体开关电路装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 化合物半导体开关电路装置
- Patent Title (English): Compound semiconductor switch circuit device
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Application No.: CN200510131707.7Application Date: 2005-12-13
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Publication No.: CN1794583APublication Date: 2006-06-28
- Inventor: 浅野哲郎 , 榊原干人
- Applicant: 三洋电机株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 三洋电机株式会社
- Current Assignee: 三洋电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 李贵亮; 杨梧
- Priority: 371832/04 2004.12.22 JP
- Main IPC: H03K17/687
- IPC: H03K17/687 ; H03K17/00

Abstract:
一种化合物半导体开关电路装置,在开关MMIC中,为提高静电击穿电压,有将控制电阻靠近共通输入端子焊盘配置,并利用焊盘的周边杂质区域连接保护元件的情况。但是,当输入到共通输入端子焊盘上的高频模拟信号泄漏到控制电阻上,而到达控制端子焊盘上时,存在插入损耗增大的问题。在控制端子焊盘的附近,从控制端子焊盘到保护元件之间的控制电阻上连接高电阻体。由此,即使高频模拟信号泄漏到控制电阻上,也可以通过高电阻体将其衰减。因此,实质上高频模拟信号不会传递到控制端子焊盘上,可抑制插入损耗的增大。
Public/Granted literature
- CN1794583B 化合物半导体开关电路装置 Public/Granted day:2011-09-21
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