一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n型及n+型离子注入区域形成动作区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基电极时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。